レーザーアブレーション法によるAIN成長のSi基板面方位依存性
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概要
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KrFエキシマーレーザーおよび電化アルミニウム(AIN)ターゲットを用いたレーザーアブレーション法によりSi(100)基板上およびSi(111)基板上にAIN薄膜を作製し、作製条件による結晶性および表面モフォロジーの変化を調べた。薄膜の結晶性は、反射高速電子線回折、X線回折、およびフーリエ変換赤外分光法を用いて評価した。また、表面モフォロジーの評価には原子間力顕微鏡を用いた。両基板ともに、各窒素圧力において結晶性が最も良好となる最適な基板温度が存在し、最適な基板温度は窒素圧力の増加に伴い増加する傾向があることがわかった。同成長条件下ではSi(111)に比べてSi(100)の方が結晶性が良好であった。AIN薄膜の結晶性が最も良好になるのは、Si(100)基板上で基板温度700℃および窒素圧力1Paのときであった。
- 2011-08-03
著者
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中澤 日出樹
弘前大学大学院理工学研究科
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中澤 日出樹
弘前大学理工学部
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鈴木 大樹
弘前大学大学院理工学研究科
-
熊谷 知貴
弘前大学大学院理工学研究科
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中澤 日出樹
弘前大学
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鈴木 大樹
弘前大学理工学部
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