プラズマCVD法によるSiおよびN同時添加DLC膜特性に対する水素の影響

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概要

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• ダイヤモンドライクカーボン(DLC)の膜特性の改善のために、SiおよびN源にヘキサメチルジシラザン(HMDS)を用いたプラズマCVD法によりSiおよびN同時添加DLC膜を作製し、希釈ガスの違いによるDLC膜特性の変化を調べた。原料ガスとしてCH_4およびHMDS、希釈ガスとしてArまたはH_2を用い、基板には直流負バイアスを印加した。CH_4に対するHMDS流量比の増加に伴い、内部応力および摩擦係数は減少し、付着力は増加した。また、H_2希釈によって微粒子の発生を抑制できることがわかった。Arに比べてH_2を用いたときの方が、摩擦係数は減少し、密着性および耐摩耗性が向上した。

• 2011-08-03

著者

• 中澤 日出樹

  弘前大学大学院理工学研究科

• 三浦 創史

  弘前大学理工学部

• 中澤 日出樹

  弘前大学理工学部

• 奥野 さおり

  弘前大学大学院理工学研究科

• 三浦 創史

  弘前大学大学院理工学研究科

• 鎌田 亮輔

  弘前大学大学院理工学研究科

• 中澤 日出樹

  弘前大学

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