SiC層中に埋め込まれたGe・SiCドットの発光特性
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概要
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Si基板上ヘガスソースMBE法によりモノメチルゲルマン(MMGe)を用いてSi c(4×4)構造形成後,Ge, SiCナノドット形成を行った。形成したドット層に対して走査型トンネル顕微鏡(STM)測定を行うとともにモノメチルシラン(MMSi)を用いてSiCキャップ層を形成した。さらにキャップ層を形成したGe・SiCドット層からの発光スペクトルを測定しその特性を考察した.
- 2011-08-03
著者
-
成田 克
山形大学工学部
-
中澤 日出樹
弘前大学大学院理工学研究科
-
安井 寛治
長岡技術科学大学
-
中澤 日出樹
弘前大学理工学部
-
大谷 孝史
長岡技術科学大学
-
加藤 有行
長岡技術科学大学
-
加藤 孝弘
長岡技術科学大学
-
浅野 翔
長岡技術科学大学
-
大谷 孝
長岡技術科学大学
-
姉埼 豊
長岡技術科学大学
-
加藤 有行
山形大学工学部
-
中澤 日出樹
弘前大学
-
成田 克
山形大学
-
姉崎 豊
長岡技術科学大学
-
安井 寛治
長岡技科大
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