ECR MOCVD 法による立方晶 GaN 薄膜の成長と評価
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概要
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ECRMOCVD法により、GaAs(100)基板上にトリメチルガリウム(TMG)とアンモニア(NH_3)を用いて、立方晶GaN薄膜を成長させた。膜の結晶構造は基板表面の緩和層形成温度に強く影響されることがわかった。また、緩和層を形成することで六方晶GaNの成長が抑制されるとともに、立方晶GaNの配向性が改善され、電気特性の向上も見られた。さらに、直流バイアスによるプラズマ中の荷電粒子の制御を行った結果、イオンの入射が立方晶GaN膜の結晶成長を乱す原因の一つであることがわかった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-09-30
著者
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