MMSi,DMSiにより形成されるSi c(4×4)構造の評価
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概要
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有機ケイ素化合物の一種であるモノメチルシラン(MMSi)およびジメチルシラン(DMsi)を用いてSi(001)-2×1表面上に3C-SiC成長を行い、その成長初期過程を反射高速電子線回折(RHEED)を用いて"その場"観察を行ったところ、SiC核の発生に先んじてSi c(4×4)構造が形成されていることが分かった。Si c(4×4)構造とその後のSiC核が生成された表面についてXPS測定およびAFM観察を行った。その結果、Si c(4×4)構造が形成された表面層にはSi-C結合を含んだSi_1-xCxアロイ層が存在し、AR-XPS測定によりその層厚は0.3[nm]と見積もられた。また、AFM像からSiC核はSi c(4×4)構造の周期性を反映した<010>軸方向に配列して発生した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-11-06
著者
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