成田 克 | 長岡技術科学大学
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概要
関連著者
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成田 克
山形大学工学部
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安井 寛治
長岡技術科学大学
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成田 克
長岡技術科学大学
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赤羽 正志
長岡技術科学大学
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成田 克
山形大学
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原島 正幸
長岡技術科学大学工学部電気系
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原島 正幸
長岡技術科学大学
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森本 貫太郎
長岡技術科学大学工学部電気系
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森山 学
長岡技術科学大学
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栗本 大詩
長岡技術科学大学
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江藤 淳平
長岡技術科学大学工学部電気系
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江藤 淳平
長岡技術科学大学電気系
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犬伏 宗和
長岡技術科学大学
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栗本 大詩
長岡技術科学大学 工学部 電気系
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末光 眞希
東北大学電気通信研究所
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末光 眞希
東北大学学際科学国際高等研究センター
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鶴間 隆一
長岡技術科学大学工学部電気系
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鶴間 隆一
長岡技術科学大学電気系
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前田 智彦
長岡技術科学大学工学部電気系
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KHAIRUDIN MOHD
長岡技術科学大学電気系
-
星野 傑
長岡技術科学大学電気系
著作論文
- C-6-8 昇温脱離法を用いた3C-SiC成長初期に見られるSi c(4×4)構造の評価(C-6.電子部品・材料)
- 有機ケイ素化合物を用いたSiC成長初期過程の再評価とCVD法への応用(薄膜プロセス・材料,一般)
- 有機ケイ素化合物を用いたSiC成長初期過程の再評価とCVD法への応用
- C-6-3 MMSi による Si(001) 上への 3C-SiC 成長初期段階の STM 観察
- Hot-Mesh CVD法によるSi熱酸化膜上の(100)配向SiC結晶(電子部品・材料,及び一般)
- 有機ケイ素化合物を用いたSiCヘテロエピタキシャル成長
- C-6-4 Hot-Mesh CVD法を用いたSiC成長におけるメッシュ温度依存性(C-6. 電子部品・材料, エレクトロニクス2)
- トライオードプラズマCVD法によるSiC(110)配向膜の低温成長(薄膜プロセス・材料,一般)
- Hot-Mesh CVD法によるSi基板上への低温SiCエピタキシャル成長(電子部品・材料,及び一般)
- C-6-3 HM-CVD 法を用いた炭化ケイ素膜の作製
- C-6-2 DMS を用いた減圧 CVD 法による SiC on Si エピタキシャル成長
- MMSi,DMSiにより形成されるSi c(4×4)構造の評価
- C-6-2 3C-SiC成長初期段階におけるSi(001)上でのMMSiの表面反応過程の観察
- C-6-2 有機ケイ素化合物を用いた Si(001) 上における 3C-SiC の二段階成長
- モノメチルシランを用いた3C-Sic成長初期過程
- ジメチルシランを用いた3C-SiC成長初期過程のRHEED観察
- C-6-13 有機ケイ素化合物と水素を用いたβ-SiC成長初期過程
- MMSiを用いたトライオードプラズマCVD法による3C-SiCの低温成長
- ECRMOCVD法によるAlNエピタキシャル成長
- ジメチルシランを用いた Si 表面での SiC 成長初期過程