有機ケイ素化合物を用いたSiC成長初期過程の再評価とCVD法への応用(薄膜プロセス・材料,一般)
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概要
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ジメチルシラン(DMS)を原料に、基板温度675℃において形成されるSi(001)-c(4×4)表面を、走査型トンネル顕微鏡(STM)を用いて観察し、反射高速電子線回折(RHEED)観察の結果と比較した。RHEED回折強度プロファイルにおいて、立方晶炭化ケイ素(3C-SiC)の回折スポットは、c(4×4)構造の回折スポットが消失した後に現われるのに対し、c(4×4)表面に対するSTM像においては、すでにアイランドが形成されていた。そこで、モノメチルシラン(MMS)とDMSの初期成長速度を再定義し、活性化エネルギーを求めたところ、43〜46kcal/molの値を得た。これは、Si表面からの水素脱離の活性化エネルギーに等しく、これまでのSi表面からの水素脱離が成長の律速過程であるというモデルを支持する結果となった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-11-03
著者
-
成田 克
山形大学工学部
-
森山 学
長岡技術科学大学
-
赤羽 正志
長岡技術科学大学
-
安井 寛治
長岡技術科学大学
-
原島 正幸
長岡技術科学大学
-
成田 克
長岡技術科学大学
-
森本 貫太郎
長岡技術科学大学工学部電気系
-
原島 正幸
長岡技術科学大学工学部電気系
-
成田 克
山形大学
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