森山 学 | 長岡技術科学大学
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概要
関連著者
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森山 学
長岡技術科学大学
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安井 寛治
長岡技術科学大学
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原島 正幸
長岡技術科学大学工学部電気系
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成田 克
山形大学工学部
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赤羽 正志
長岡技術科学大学
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原島 正幸
長岡技術科学大学
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成田 克
長岡技術科学大学
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成田 克
山形大学
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森本 貫太郎
長岡技術科学大学工学部電気系
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栗本 大詩
長岡技術科学大学
-
栗本 大詩
長岡技術科学大学 工学部 電気系
著作論文
- C-6-8 昇温脱離法を用いた3C-SiC成長初期に見られるSi c(4×4)構造の評価(C-6.電子部品・材料)
- 有機ケイ素化合物を用いたSiC成長初期過程の再評価とCVD法への応用(薄膜プロセス・材料,一般)
- 有機ケイ素化合物を用いたSiC成長初期過程の再評価とCVD法への応用
- C-6-4 MMSi を用いた 3C-SiC 成長初期における表面反応過程
- C-6-3 MMSi による Si(001) 上への 3C-SiC 成長初期段階の STM 観察