原島 正幸 | 長岡技術科学大学
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概要
関連著者
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赤羽 正志
長岡技術科学大学
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安井 寛治
長岡技術科学大学
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原島 正幸
長岡技術科学大学
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原島 正幸
長岡技術科学大学工学部電気系
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成田 克
山形大学工学部
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成田 克
長岡技術科学大学
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森山 学
長岡技術科学大学
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高田 雅介
長岡技術科学大学電気系
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高田 雅介
長岡技科大
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森本 貫太郎
長岡技術科学大学工学部電気系
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高田 雅介
長岡技術科学大学
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金内 海
長岡技術科学大学工学部電気系
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成田 克
山形大学
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加藤 有行
長岡技術科学大学
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栗本 大詩
長岡技術科学大学
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荻原 智明
長岡技術科学大学
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金丸 哲史
長岡技術科学大学
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犬伏 宗和
長岡技術科学大学
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栗本 大詩
長岡技術科学大学 工学部 電気系
著作論文
- C-6-8 昇温脱離法を用いた3C-SiC成長初期に見られるSi c(4×4)構造の評価(C-6.電子部品・材料)
- 有機ケイ素化合物を用いたSiC成長初期過程の再評価とCVD法への応用(薄膜プロセス・材料,一般)
- C-6-4 MMSi を用いた 3C-SiC 成長初期における表面反応過程
- C-6-3 MMSi による Si(001) 上への 3C-SiC 成長初期段階の STM 観察
- Si(001)表面とモノメチルゲルマンの反応過程における表面構造変化 : Ge埋め込み3C-SiC構造形成へ向けて(薄膜プロセス・材料, 一般)
- C-6-1 Hot-Wireを用いたGaAs表面窒化とc-GaNのエピタキシャル成長
- C-6-2 ホットフィラメントCVD法によるGaAs窒化層上へのc-GaNエピタキシャル成長
- C-6-2 Si(001)上でのモノメチルゲルマンの反応過程(C-6. 電子部品・材料, エレクトロニクス2)
- MMSによるSi(001)-c(4×4)構造形成時における表面反応の解析(薄膜プロセス・材料,一般)
- STMを用いたMMSiにより形成されるSi(001)-c(4×4)構造の評価(電子部品・材料, 及び一般)
- MMSi,DMSiにより形成されるSi c(4×4)構造の評価
- C-6-2 3C-SiC成長初期段階におけるSi(001)上でのMMSiの表面反応過程の観察