Si(001)表面とモノメチルゲルマンの反応過程における表面構造変化 : Ge埋め込み3C-SiC構造形成へ向けて(薄膜プロセス・材料, 一般)
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概要
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Si(001)表面とモノメチルゲルマン(MMGe : GeH_3CH_3)との初期反応過程について反射高速電子線回折(RHEED)、走査型トンネル顕微鏡(STM)およびX線光電子分光(XPS)を用いて解析を行った。その反応はモノメチルシラン(MMS : SiH_3CH_3)を原料として用いた場合と類似していた。すなわち、原料供給後、基板内への炭素拡散に起因すると考えられるc(4×4)構造が形成され、この構造の消失と共にSiC核の発生が見られた。同時に、SiCの双晶を表すスポットの近くにGeに関係すると考えられるスポットが観察された。XPSにより、表面層にGe原子がGeもしくはSiGeの形で存在していることおよび、炭素クラスターは形成されていないことが確認された。試作した、Ge埋め込みSiC構造に対するフォトルミネッセンス(PL)測定より、0.85eVと0.95eVにGeに関連したと考えられる発光が見られた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-11-04
著者
-
高田 雅介
長岡技術科学大学電気系
-
高田 雅介
長岡技科大
-
赤羽 正志
長岡技術科学大学
-
安井 寛治
長岡技術科学大学
-
加藤 有行
長岡技術科学大学
-
原島 正幸
長岡技術科学大学
-
荻原 智明
長岡技術科学大学
-
金丸 哲史
長岡技術科学大学
-
原島 正幸
長岡技術科学大学工学部電気系
-
高田 雅介
長岡技術科学大学
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