C-6-3 パルス制御核発生法によるSi(001)-2°off基板上での高密度SiC,Geナノドット形成(C-6.電子部品・材料,一般講演)
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概要
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- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2007-03-07
著者
-
高田 雅介
長岡技術科学大学電気系
-
高田 雅介
長岡技科大
-
赤羽 正志
長岡技術科学大学
-
安井 寛治
長岡技術科学大学
-
加藤 有行
長岡技術科学大学
-
荻原 智明
長岡技術科学大学
-
金丸 哲史
長岡技術科学大学
-
高田 雅介
長岡技術科学大学
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