C-6-2 ホットフィラメントCVD法によるGaAs窒化層上へのc-GaNエピタキシャル成長
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概要
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- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-03-07
著者
-
赤羽 正志
長岡技術科学大学
-
安井 寛治
長岡技術科学大学
-
原島 正幸
長岡技術科学大学
-
森本 貫太郎
長岡技術科学大学工学部電気系
-
金内 海
長岡技術科学大学工学部電気系
-
原島 正幸
長岡技術科学大学工学部電気系
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