Hot-wire CVD法を用いた立方晶窒化ガリウムのエピタキシャル成長
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
閃亜鉛鉱型基板上へ成長する立方晶窒化ガリウム(c-GaN)は、熱力学的には準安定相であるものの、六方晶窒化ガリウム(h-GaN)に比べてより優れた移動度や飽和ドリフト速度を持つことが予想されている。そこで、タングステンのフィラメント又はメッシュを用いたhot-wire CVD法を用いてGaAs基板上にc-GaN膜を成長させることを試みた。その結果、基板温度550[℃]、フィラメント温度1200[℃]、NH_3圧力130[Pa]、フィラメント-基板間距離10[mm]で窒化層を形成した基板上に成長を行った時、半値幅0.83[deg]の最も立方晶優位なGaNが得られた。また、フィラメントをタングステンメッシュに変更したところ、同条件において回折ピーク強度が約4倍になった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-11-06
著者
関連論文
- Si上に形成したGe・SiCドットに対する半球状モデルを用いた構造評価(薄膜プロセス・材料,一般)
- 日本液晶学会10周年記念座談会 : 日本の液晶研究 過去・現在・未来
- 間欠ガス供給を用いたホットメッシュCVD法によるSi上GaNエピタキシャル成長
- パルスモードホットメッシュCVD法による窒化物半導体のエピタキシャル成長(薄膜プロセス・材料,一般)
- C-6-8 触媒反応CVD(Cat-CVD)法によるGaN結晶膜の省資源成長技術(C-6. 電子部品・材料,一般セッション)
- ホットメッシュCVD法によるGaN成長 : ルテニウムコーティッドタングステンメッシュの効果(薄膜プロセス・材料,一般)
- C-6-9 RuコートWを用いたHot-mesh CVD法によるGaN膜成長(C-6.電子部品・材料,一般講演)
- ワイドギャップ半導体でキャッピングされたGeナノドットの光学特性(薄膜プロセス・材料,一般)
- 26p-Z-6 強誘電性液晶の層構造とフォーカルコニックス
- PC01 レーザ光束角度振れ検出による表面形状測定装置を用いたLCD評価(2004年日本液晶学会討論会)
- PA04 Investigation of the surface alignment of liquid crystal multilayers evaporated on photoalignment polyimide film
- 第三電極を有するマグネトロンスパッタ法によるAlドープZnO膜の低抵抗化(薄膜プロセス・材料,一般)
- C-6-8 昇温脱離法を用いた3C-SiC成長初期に見られるSi c(4×4)構造の評価(C-6.電子部品・材料)
- 有機ケイ素化合物を用いたSiC成長初期過程の再評価とCVD法への応用(薄膜プロセス・材料,一般)
- C-6-4 MMSi を用いた 3C-SiC 成長初期における表面反応過程
- C-6-3 MMSi による Si(001) 上への 3C-SiC 成長初期段階の STM 観察
- C-6-7 第三電極を有するマグネトロンスパッタ法による均質なZnO薄膜の形成(C-6.電子部品・材料,一般講演)
- C-6-7 Hot-mesh CVD法を用いたSiC/Si(111)上へのGaN成長(C-6.電子部品・材料,一般講演)
- Hot-Mesh CVD法によるSi熱酸化膜上の(100)配向SiC結晶(電子部品・材料,及び一般)
- 水素ラジカルアシストプラズマCVD法によるSiN膜の応力特性
- C-6-7 Wメッシュにより生成した水素ラジカルによるZnO:Al薄膜のアニール効果(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- C-6-7 第三電極を有するマグネトロンスパッタリング法によるAZO透明導電膜の水素アニール効果(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- C-6-4 第三電極を有するマグネトロンスパッタ法により作製したZnO薄膜の水素プラズマアニールの効果(C-6. 電子部品・材料,一般セッション)
- 第三電極を有するRFマグネトロンスパッタ法によるZnO透明導電膜特性の均一性評価(薄膜プロセス・材料,一般)
- モノメチルゲルマンによるSi(001)-2x1清浄表面上へのGe,SiCナノドットの形成と制御(薄膜プロセス・材料,一般)
- C-6-6 SiCでキャップされたGe・SiC量子ドットの光学特性(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- ホットメッシュCVD法によるSiCOI構造基板の作製とトップSi層厚依存性(薄膜プロセス・材料,一般)
- C-6-10 Hot-mesh CVD法による極薄top-Si層を有するSOI基板上へのSiC成長(C-6.電子部品・材料,一般講演)
- C-6-7 パルス供給Hot-mesh CVD法によるGaN成長(C-6. 電子部品・材料,一般セッション)
- C-6-7 Hot-mesh CVD法によるSiC/Si上へのAINバッファー層を用いたGaN成長(C-6.電子部品・材料,一般講演)
- Hot-mesh CVD法によるAlNバッファー層を用いたSiC/Si(111)上へのGaN成長
- 3D08 分光エリプソメトリを用いた高チルト配向セルの液晶セルパラメータとアンカリング強度の測定(2004年日本液晶学会討論会)
- PA12 液晶界面配向秩序とアンカリングの評価(トピカルセッション-液晶物性計測の最前線-, 2005年日本液晶学会討論会)
- ジメチルシランを用いたシリコン基板上への3C-SiCエピタキシャル成長
- PA07 Investigation of alignment of nematic liquid crystal on a micro-patterned polyimide surface
- C-6-11 MMGeを用いて形成したGe・SiCナノドットの構造評価(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- C-6-5 Hot-Mesh CVD法を用いたSiCOI構造形成とMEMS応用(C-6.電子部品・材料,一般講演)
- C-10-10 Hot-Mesh CVD法によるSiC低温結晶成長における水素ラジカルの効果(C-10.電子デバイス,一般講演)
- Hot-Mesh CVD法を用いたSOI基板上への3C-SiC低温エピタキシャル成長
- CS-6-5 ホットメッシュCVD法によるSiC結晶膜の低温成長(CS-6.薄膜の高機能発現をともなう低温成膜技術の最前線,シンポジウム)
- C-6-1 第三電極を有するマグネトロンスパッタ法によるAl, F共ドープZnO薄膜の特性(C-6.電子部品・材料,一般講演)
- C-6-6 メッシュ状第三電極を有するマグネトロンスパッタ法によるZnO薄膜の堆積(C-6.電子部品・材料)
- ヘリカルアンテナ励起窒素及びアンモニアプラズマの特性と半導体表面窒化特性
- C-6-12 ヘリカルアンテナを用いた窒素及びアンモニアプラズマの特性と半導体表面窒化特性
- 有機ケイ素化合物を用いたSiCヘテロエピタキシャル成長
- C-6-4 Hot-Mesh CVD法を用いたSiC成長におけるメッシュ温度依存性(C-6. 電子部品・材料, エレクトロニクス2)
- トライオードプラズマCVD法によるSiC(110)配向膜の低温成長(薄膜プロセス・材料,一般)
- Hot-Mesh CVD法によるSi基板上への低温SiCエピタキシャル成長(電子部品・材料,及び一般)
- C-6-3 HM-CVD 法を用いた炭化ケイ素膜の作製
- C-6-2 DMS を用いた減圧 CVD 法による SiC on Si エピタキシャル成長
- PC13 改良電極ITモードに関する研究(トピカルセッション-液晶物性計測の最前線-, 2005年日本液晶学会討論会)
- PC02 ラビングした配向膜の異方性の分布検出の試み(トピカルセッション-液晶物性計測の最前線-, 2005年日本液晶学会討論会)
- PA18 SOITE法を用いた液晶及び配向膜のキャラクタリゼーション(トピカルセッション-液晶物性計測の最前線-, 2005年日本液晶学会討論会)
- PA14 種々のΔnを持つ液晶の屈折率波長分散の実用的評価 (2)(トピカルセッション-液晶物性計測の最前線-, 2005年日本液晶学会討論会)
- PA09 表面レリーフグレーティングによる液晶配向(トピカルセッション-液晶物性計測の最前線-, 2005年日本液晶学会討論会)
- 1D12 液晶セル基板におけるラビング軸の同定と界面アンカリング精密測定法(トピカルセッション-ソフトマターと液晶-, 2005年日本液晶学会討論会)
- 斜め入射透過偏光解析法による液晶セルの評価
- PA05 配向膜界面における液晶の Characterization(2004年日本液晶学会討論会)
- Zenithal Bistable Display(ZBD)が拓く双安定型LCDの可能性
- 全反射エリプソメトリーによる界面液晶ダイナミクスの観察
- 分光エリプソメトリーによる液晶界面配向特性の解析
- C-6-3 パルス制御核発生法によるSi(001)-2°off基板上での高密度SiC,Geナノドット形成(C-6.電子部品・材料,一般講演)
- Si(001)表面とモノメチルゲルマンの反応過程における表面構造変化 : Ge埋め込み3C-SiC構造形成へ向けて(薄膜プロセス・材料, 一般)
- 分光エリプソメトリーによる液晶界面配向特性の解析
- 有機けい素化合物を用いたトライオードプラズマCVD法による結晶SiC膜の成長 (ワイドギャップ半導体とそのデバイス応用論文小特集)
- DMCSを用いたトライオードプラズマCVD法による空間的アフターグロープラズマの最適化と結晶SiC膜の低温成長
- ヘリカルアンテナを用いたアンモニアプラズマの生成と半導体表面窒化の試み
- 有機ケイ素化合物を用いた減圧CVD法によるAlN上SiCのエピタキシャル成長
- トライオードプラズマCVD法による3C-SiCエピ成長膜特性の高周波電力依存性
- ハイブリッドプラズマ CVD 法による SiN-BN 薄膜の高品質化
- ECRプラズマ励起HRCVD法による微結晶SiC膜の構造
- C-6-3 トライオードプラズマCVD法によるSiC(110)配向膜の低温成長(C-6. 電子部品・材料, エレクトロニクス2)
- Hot-wire CVD法を用いた立方晶窒化ガリウムのエピタキシャル成長
- C-6-1 Hot-Wireを用いたGaAs表面窒化とc-GaNのエピタキシャル成長
- C-6-2 ホットフィラメントCVD法によるGaAs窒化層上へのc-GaNエピタキシャル成長
- C-6-20 ヘリカルアンテナにより励起したNH_3プラズマによるGaAs表面窒化特性
- 強誘電性液晶のらせんピッチの測定 (1989年春季講演会)
- SiC埋め込み型Geナノドット構造を目指した高密度ナノドット形成(薄膜プロセス・材料,一般)
- C-6-6 MMGeを用いたSi(001)-2°off基板上での高密度SiC,Geナノドット形成(C-6.電子部品・材料,一般講演)
- グリッドバイアス制御ECRプラズマの特性評価と立方晶GaNのエピタキシャル成長
- 1C12 SSFLCの動的応答に及ぼす界面極性アンカリングの影響
- C-6-2 Si(001)上でのモノメチルゲルマンの反応過程(C-6. 電子部品・材料, エレクトロニクス2)
- MMSによるSi(001)-c(4×4)構造形成時における表面反応の解析(薄膜プロセス・材料,一般)
- STMを用いたMMSiにより形成されるSi(001)-c(4×4)構造の評価(電子部品・材料, 及び一般)
- MMSi,DMSiにより形成されるSi c(4×4)構造の評価
- C-6-2 3C-SiC成長初期段階におけるSi(001)上でのMMSiの表面反応過程の観察
- 高分子液晶を用いた電子ビーム像記録と高輝度再生
- ホットメッシュCVD法によるGaAs(100)上への立方晶GaNの低温成長(薄膜プロセス・材料,一般)
- ホットメッシュCVD法によるGaAs(100)上への立方晶GaNの低温成長
- C-6-1 タングステンメッシュを用いた Hot-wire CVD 法による立方晶 GaN 膜の成長
- C-6-1 トライオードプラズマCVD法による3C-SiC成長におけるRF電力依存性
- C-6-2 有機ケイ素化合物を用いた Si(001) 上における 3C-SiC の二段階成長
- モノメチルシランを用いた3C-Sic成長初期過程
- ジメチルシランを用いた3C-SiC成長初期過程のRHEED観察
- C-6-13 有機ケイ素化合物と水素を用いたβ-SiC成長初期過程
- DMSを用いたトライオードプラズマCVD法による3C-SiCの低温エピ成長
- C-6-13 トライオードプラズマCVD法による有機ケイ素化合物を用いた3C-SiC低温成長
- C-6-19 フラックス法によるAl_xGa_N、ln_yGa_N単結晶の成長
- C-6-14 トライオードプラズマCVD法によるモノメチルシランを用いたβ-SiCエピタキシャル成長
- MMSiを用いたトライオードプラズマCVD法による3C-SiCの低温成長