有機ケイ素化合物を用いた減圧CVD法によるAlN上SiCのエピタキシャル成長
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概要
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水素希釈したモノメチルシランを用い、減圧CVD法によりAIN基板上にSiC膜をエピタキシャル成長させた。反応時圧力と原料ガス供給タイミングを変えてSiC成長を行い、SiC膜の結晶性・配向性および表面モフォロジーを調べた。サーマルクリーニング後、高温下で原料ガスを供給し圧力1Torrでエピタキシャル成長させた膜において結晶性および配向性が良好となることが分かった。AFMを用いて評価した表面モフォロジーも同様の結果が得られた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-10-15
著者
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