C-6-14 トライオードプラズマCVD法によるモノメチルシランを用いたβ-SiCエピタキシャル成長

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概要

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• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2000-09-07

著者

• 赤羽 正志

  長岡技術科学大学

• 安井 寛治

  長岡技術科学大学

• 前田 智彦

  長岡技術科学大学工学部電気系

• 橋場 正啓

  長岡技術科学大学工学部電気系

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