C-6-2 DMS を用いた減圧 CVD 法による SiC on Si エピタキシャル成長

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概要

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• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2003-09-10

著者

• 成田 克

  山形大学工学部

• 赤羽 正志

  長岡技術科学大学

• 安井 寛治

  長岡技術科学大学

• 成田 克

  長岡技術科学大学

• 森本 貫太郎

  長岡技術科学大学工学部電気系

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