昇温脱離法と等温脱離法を用いたSi(100)表面からの水素脱離バリヤー評価
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概要
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Si(100)表面からの水素分子(D_2)の脱離kineticsを昇温脱離法(Temperature-Programmed Desorption:TPD)と等温脱離法を用いて調べた.TPDスペクトルの片対数プロットから,水素脱離には3つの脱離チャネル(β_<1,A>,β_<1,B>,C)が存在することを見出した.β_<1,A>ピークは初期水素被覆率θ^0_Dが変化してもそのピーク温度は変わらず,一次脱離反応の特徴を示した.一方,β_<1,β>ピークはθ^0_Dの減少に伴って高温側にシフトすることから,二次脱離反応の特徴を示した.等温脱離法を用いてそれらの脱離バリヤーを評価したところ,β_<1,A>脱離は1.6±0.1eV,β_<1,B>脱離は1.8±0.1eVという結果を得た.これらの値は,これまで信じられてきた脱離バリヤー2.5eVよりも約1eV低い値であり,これらの脱離メカニズムをinter-dimer機構を基に考察した.
- 2009-08-03
著者
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