30a-PS-4 Cl, Cs共吸着表面からのCl_2分子線散乱 : 温度依存性
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
昇温脱離法と等温脱離法を用いたSi(100)表面からの水素脱離バリヤー評価
-
29p-WC-4 Cl_2分子線-アルカリ吸着Si表面相互作用
-
28p-PSB-15 Cs/Si(100)でのXe分子線散乱
-
28p-PSB-14 Cl/Cs/Si(100) の仕事関数異常
-
29p-PSB-14 Cl_2分子線 : アルカリ吸着Si表面相互作用
-
27p-PSA-10 Si(100)表面におけるCl_2の散乱、吸着過程
-
26a-Y-10 Cl_2とアルカリメタル被履したSi(100)2*1表面の相互作用
-
28a-ZF-11 NO分子線を用いたK, Cs/Si(100)に於ける吸着過程(II)
-
30a-E-8 NO分子線を用いたK/Si(100)における吸着過程
-
29p-BPS-58 Cs,Kを被覆したSi(100)面でのNO散乱過程
-
29p-BPS-57 NO分子線を用いたCs/Si(100)での吸着過程
-
24a-PS-26 Si(100)表面におけるNO吸着過程のK被覆依存性
-
4a-PS-10 REMPI法によるSi-Ox表面からのNO散乱
-
4a-T-3 O_2分子線を用いたSi(100)における酸素の吸着脱離過程 II
-
6a-C4-7 Si(100)表面におけるO_2分子線の散乱
-
Si(100)表面での水素解離の活性障壁と脱離エネルギー : バリアパズルはどこまでわかったか
-
水素ラジカルが誘起するSi表面反応
-
23aRJ-4 Ru(0001)表面における水素引き抜き反応の温度依存性(表面界面ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
-
31a-S-8 酸素原子と吸着水素の反応
-
31a-S-7 水素原子によるシリコン表面吸着水素抜き取り反応、キネティクスI
-
27p-U-9 レーザー誘起合成法によるシリコン微粒子の作製
-
4p-W-11 レーザーで誘起されたシリコン気相成長
-
2p-KP-7 CdS表面からのレーザー誘起粒子放出
-
8a-H-4 塩素・アルカリ共吸着Si表面でのCl_2物理吸着、及び脱離過程
-
30a-PS-4 Cl, Cs共吸着表面からのCl_2分子線散乱 : 温度依存性
-
27aWB-10 2水素化Si(100)表面からの水素脱離ダイナミックス(表面・界面構造, ダイナミクス,領域9(表面・界面, 結晶成長))
-
13aXF-4 被覆度に依存した水素熱脱離ダイナミックス(表面界面ダイナミクス : シリコン・ダイヤモンド, 領域 9)
-
27pPSA-41 水素終端Si(100)表面における気相窒素原子誘起の水素脱離反応(領域9ポスターセッション)(領域9)
-
27pPSA-40 2水素化シリコン表面からの熱脱離ダイナミクス(領域9ポスターセッション)(領域9)
-
28pPSB-41 酸素吸着 Si(100) 表面での気相水素原子による吸着水素脱離反応
-
28aZF-12 Si 表面からの熱脱離水素分子、detailed balance law の成立
-
29p-PSB-15 半導体表面でのでのO_2吸着に対するアルカリ促進作用
-
29p-J-7 アルカリ吸着Si(100)表面での塩素吸着ダイナミックス, 温度依存性
-
26a-Y-12 Ge(100)でのO_2、NO吸着に対するアルカリ促進作用のダイナミックス
-
29p-BPS-56 Ge表面上での酸素の吸着・散乱過程
-
24a-PS-25 分子線表面散乱装置(II)の試作とGe(100)表面散乱への応用
-
4a-PS-15 化合物半導体表面のレーザー脱離、脱離粒子間の衝突
-
29a-E-8 化合物半導体からのレーザー誘起粒子放出過程
-
3a-S-1 半導体表面からのレーザー誘起粒子脱離の角度依存性
-
13aXF-5 Si(100) 表面での水素引き抜き反応の角度分布シミュレーション(表面界面ダイナミクス : シリコン・ダイヤモンド, 領域 9)
-
27pPSA-35 Si(100)表面での水素引き抜き反応シミュレーション(領域9ポスターセッション)(領域9)
-
28aZF-11 反応速度式による水素照射中の Si 表面の水素被覆率
-
25aW-13 水素原子とC, Si, Ge(100)表面の相互作用
-
24pW-3 水素原子によるGe(100)表面吸着水素抜き取り反応
-
31a-F-5 D(g)+H-Si(s)→DH(g)+-Si(s)反応
-
Cl/Cs/Si(100)系の内殻光電子分光
-
Si(100)表面での水素反応-バリヤーパズルをめぐって
-
27pPSA-45 表面吸着反応におけるスピン効果観測のための装置の製作(27pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
-
3a-A1-10 CdS表面からのレーザー誘起脱離粒子の角度依存性(3a A1 表面・界面,量子エレクトロニクス)
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク