水素ラジカルが誘起するSi表面反応

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 2010-03-10

著者

• 並木 章

  九州工業大学工学部

• 並木 章

  九州工業大学工学部電気電子工学科

関連論文

• 昇温脱離法と等温脱離法を用いたSi(100)表面からの水素脱離バリヤー評価
• Si(100)表面での水素解離の活性障壁と脱離エネルギー : バリアパズルはどこまでわかったか
• 水素ラジカルが誘起するSi表面反応
• 23aRJ-4 Ru(0001)表面における水素引き抜き反応の温度依存性(表面界面ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 31a-S-8 酸素原子と吸着水素の反応
• 31a-S-7 水素原子によるシリコン表面吸着水素抜き取り反応、キネティクスI
• 8a-H-4 塩素・アルカリ共吸着Si表面でのCl_2物理吸着、及び脱離過程
• 30a-PS-4 Cl, Cs共吸着表面からのCl_2分子線散乱 : 温度依存性
• 27aWB-10 2水素化Si(100)表面からの水素脱離ダイナミックス(表面・界面構造, ダイナミクス,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 13aXF-4 被覆度に依存した水素熱脱離ダイナミックス(表面界面ダイナミクス : シリコン・ダイヤモンド, 領域 9)
• 27pPSA-41 水素終端Si(100)表面における気相窒素原子誘起の水素脱離反応(領域9ポスターセッション)(領域9)
• 27pPSA-40 2水素化シリコン表面からの熱脱離ダイナミクス(領域9ポスターセッション)(領域9)
• 28pPSB-41 酸素吸着 Si(100) 表面での気相水素原子による吸着水素脱離反応
• 28aZF-12 Si 表面からの熱脱離水素分子、detailed balance law の成立
• 13aXF-5 Si(100) 表面での水素引き抜き反応の角度分布シミュレーション(表面界面ダイナミクス : シリコン・ダイヤモンド, 領域 9)
• 27pPSA-35 Si(100)表面での水素引き抜き反応シミュレーション(領域9ポスターセッション)(領域9)
• 28aZF-11 反応速度式による水素照射中の Si 表面の水素被覆率
• 25aW-13 水素原子とC, Si, Ge(100)表面の相互作用
• 24pW-3 水素原子によるGe(100)表面吸着水素抜き取り反応
• 31a-F-5 D(g)+H-Si(s)→DH(g)+-Si(s)反応
• Cl/Cs/Si(100)系の内殻光電子分光
• Si(100)表面での水素反応-バリヤーパズルをめぐって
• 27pPSA-45 表面吸着反応におけるスピン効果観測のための装置の製作(27pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク