30a-E-8 NO分子線を用いたK/Si(100)における吸着過程
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1991-09-12
著者
関連論文
- TMIを用いたInPのMOCVD成長 : エピタキシー
- ミスオリエンテーション基板上へのGaP液相成長表面波模様と非発光領域
- GaP液相エピキシャル成長時におけるマクロステップの振舞 : エピタキシー
- 29p-WC-4 Cl_2分子線-アルカリ吸着Si表面相互作用
- 28p-PSB-15 Cs/Si(100)でのXe分子線散乱
- 28p-PSB-14 Cl/Cs/Si(100) の仕事関数異常
- 29p-PSB-14 Cl_2分子線 : アルカリ吸着Si表面相互作用
- 27p-PSA-10 Si(100)表面におけるCl_2の散乱、吸着過程
- 26a-Y-10 Cl_2とアルカリメタル被履したSi(100)2*1表面の相互作用
- 28a-ZF-11 NO分子線を用いたK, Cs/Si(100)に於ける吸着過程(II)
- 30a-E-8 NO分子線を用いたK/Si(100)における吸着過程
- 29p-BPS-58 Cs,Kを被覆したSi(100)面でのNO散乱過程
- 29p-BPS-57 NO分子線を用いたCs/Si(100)での吸着過程
- 24a-PS-26 Si(100)表面におけるNO吸着過程のK被覆依存性
- 5a-PS-44 分子線-表面散乱におけるREMPI法測定装置の試作
- 4a-PS-25 O_2分子線を用いたSi(100)における酸素の吸着脱離過程 III
- 4a-PS-10 REMPI法によるSi-Ox表面からのNO散乱
- 4a-T-3 O_2分子線を用いたSi(100)における酸素の吸着脱離過程 II
- 6a-C4-7 Si(100)表面におけるO_2分子線の散乱
- 13p-PS-3 二重ベーター崩壊とレプトン数非保存IV
- 12p-D-8 極低バックグラウンド測定用γ線分光器の開発
- 30p-EC-12 二重ベーター崩壊とレプトン数非保存 II
- 30a-W-1 JT-60高周波加熱装置の現状
- 27p-U-9 レーザー誘起合成法によるシリコン微粒子の作製
- 4p-W-11 レーザーで誘起されたシリコン気相成長
- 2p-KP-7 CdS表面からのレーザー誘起粒子放出
- 30a-PS-4 Cl, Cs共吸着表面からのCl_2分子線散乱 : 温度依存性
- 29p-PSB-15 半導体表面でのでのO_2吸着に対するアルカリ促進作用
- 29p-J-7 アルカリ吸着Si(100)表面での塩素吸着ダイナミックス, 温度依存性
- 26a-Y-12 Ge(100)でのO_2、NO吸着に対するアルカリ促進作用のダイナミックス
- 29p-BPS-56 Ge表面上での酸素の吸着・散乱過程
- 24a-PS-25 分子線表面散乱装置(II)の試作とGe(100)表面散乱への応用
- 4a-PS-15 化合物半導体表面のレーザー脱離、脱離粒子間の衝突
- 29a-E-8 化合物半導体からのレーザー誘起粒子放出過程
- 3a-S-1 半導体表面からのレーザー誘起粒子脱離の角度依存性
- 31a-F-5 D(g)+H-Si(s)→DH(g)+-Si(s)反応
- 31a-TJ-5 O_2分子線を用いたSi(100)表面における酸素の吸着脱離過程(31aTJ 表面・界面)
- 3a-A1-10 CdS表面からのレーザー誘起脱離粒子の角度依存性(3a A1 表面・界面,量子エレクトロニクス)
- 28p-PS-30 二重ベータ崩壊とレプトン数非保存 VI(PS)(原子核実験ポスターセッション(中間エネルギー,電子散乱,重イオン反応,β-γ分光))