5a-PS-44 分子線-表面散乱におけるREMPI法測定装置の試作

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1990-09-12

著者

• 中村 哲郎

  豊橋技科大

• 壽崎 哲夫

  豊橋技科大

• 壽崎 哲夫

  東横科学

• 鈴木 進

  豊橋技科大

• 壽崎 哲夫

  東横化学

• 加藤 浩之

  豊橋技科大

• 三宅 竜也

  豊橋技科大

• 酒井 雅弘

  豊橋技科大

• 中村 哲郎

  東横化学

• 並木 章

  東横化学

関連論文

• TMIを用いたInPのMOCVD成長 : エピタキシー
• ミスオリエンテーション基板上へのGaP液相成長表面波模様と非発光領域
• GaP液相エピキシャル成長時におけるマクロステップの振舞 : エピタキシー
• 29p-WC-4 Cl_2分子線-アルカリ吸着Si表面相互作用
• 28p-PSB-15 Cs/Si(100)でのXe分子線散乱
• 28p-PSB-14 Cl/Cs/Si(100) の仕事関数異常
• 29p-PSB-14 Cl_2分子線 : アルカリ吸着Si表面相互作用
• 27p-PSA-10 Si(100)表面におけるCl_2の散乱、吸着過程
• 26a-Y-10 Cl_2とアルカリメタル被履したSi(100)2*1表面の相互作用
• 28a-ZF-11 NO分子線を用いたK, Cs/Si(100)に於ける吸着過程(II)
• 30a-E-8 NO分子線を用いたK/Si(100)における吸着過程
• 29p-BPS-58 Cs,Kを被覆したSi(100)面でのNO散乱過程
• 29p-BPS-57 NO分子線を用いたCs/Si(100)での吸着過程
• 24a-PS-26 Si(100)表面におけるNO吸着過程のK被覆依存性
• 5a-PS-44 分子線-表面散乱におけるREMPI法測定装置の試作
• 4a-PS-25 O_2分子線を用いたSi(100)における酸素の吸着脱離過程 III
• 4a-PS-10 REMPI法によるSi-Ox表面からのNO散乱
• 4a-T-3 O_2分子線を用いたSi(100)における酸素の吸着脱離過程 II
• 6a-C4-7 Si(100)表面におけるO_2分子線の散乱
• 13p-PS-3 二重ベーター崩壊とレプトン数非保存IV
• 12p-D-8 極低バックグラウンド測定用γ線分光器の開発
• 30p-EC-12 二重ベーター崩壊とレプトン数非保存 II
• 30a-W-1 JT-60高周波加熱装置の現状
• 低速分子線のシリコン表面散乱
• 31a-TJ-5 O_2分子線を用いたSi(100)表面における酸素の吸着脱離過程(31aTJ 表面・界面)
• 3a-A1-10 CdS表面からのレーザー誘起脱離粒子の角度依存性(3a A1 表面・界面,量子エレクトロニクス)
• 28p-PS-30 二重ベータ崩壊とレプトン数非保存 VI(PS)(原子核実験ポスターセッション(中間エネルギー,電子散乱,重イオン反応,β-γ分光))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク