ガスソースMBE法による高密度Geナノドット/SiC積層構造の作製とその発光特性
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概要
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パルス制御核発生法を用いたガスソースMBE法によりSi(001)-2°off基板上にGeナノドットを形成した.原料にはモノメチルゲルマン(MMGe)を用い成長初期Si_<1-X>C_x合金層であるSi c(4×4)構造を形成することで,高密度のドット形成に成功した.さらにモノメチルシラン(MMSi)を用いてワイドギャップのSiCキャップ層を堆積し,SiC/Geドット/SiC_x構造を作製した.このSiC/Geドット/SiC_x構造から強いフォトルミネッセンスを観測出来,そのスペクトルをもとに発光の起源を解析した.
- 2012-08-01
著者
-
成田 克
山形大学工学部
-
末光 眞希
東北大学電気通信研究所
-
中澤 日出樹
弘前大学大学院理工学研究科
-
安井 寛治
長岡技術科学大学
-
中澤 日出樹
弘前大学理工学部
-
加藤 有行
長岡技術科学大学
-
末光 真希
東北大学電気通信研究所
-
加藤 孝弘
長岡技術科学大学
-
中澤 日出樹
弘前大学
-
姉崎 豊
長岡技術科学大学
-
佐藤 魁
長岡技術科学大学
-
安井 寛治
長岡技科大
-
佐藤 魁
長岡技術科学大学工学部
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