シリコン表面熱酸化初期過程の反応速度論

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 日本表面科学会の論文
• 2002-02-10

著者

• 末光 眞希

  東北大学電気通信研究所

関連論文

• 光学励起グラフェンによるコヒーレントテラヘルツ放射の観測(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
• 赤外干渉法によるSi基板上3C-SiC薄膜形成のリアルタイムモニタリング(TFT(有機,酸化物),一般)
• パルス電界常圧プラズマCVD法を用いたプラスチック基板上Si成長(TFT(有機,酸化物),一般)
• 原子状水素照射によるダイヤモンドライクカーボン膜の化学結合状態の変化
• 有機シランを用いたプラズマCVD法によるダイヤモンドライクカーボン薄膜の膜特性評価
• シリコン基板上へのエピタキシャルグラフェン成長(グラフェンの成長と応用)
• TDSによる電子ビーム再溶融処理材のガス放出特性評価
• 間欠ガス供給を用いたホットメッシュCVD法によるSi上GaNエピタキシャル成長
• パルスモードホットメッシュCVD法による窒化物半導体のエピタキシャル成長(薄膜プロセス・材料,一般)
• C-6-8 触媒反応CVD(Cat-CVD)法によるGaN結晶膜の省資源成長技術(C-6. 電子部品・材料,一般セッション)
• ホットメッシュCVD法によるGaN成長 : ルテニウムコーティッドタングステンメッシュの効果(薄膜プロセス・材料,一般)
• C-6-9 RuコートWを用いたHot-mesh CVD法によるGaN膜成長(C-6.電子部品・材料,一般講演)
• Si基板上SiC極薄膜の低温形成とユビキタスデバイスへの応用
• MCML (MOS Current Mode Logic)インバーター回路における許容しきい値電圧ばらつきのガイドライン,AWAD2006)
• MCML (MOS Current Mode Logic)インバーター回路における許容しきい値電圧ばらつきのガイドライン
• Si(110)面上熱酸化膜形成時におけるSiサブオキサイド時間発展のXPSリアルタイム測定(ゲート絶縁膜形成およびメモリ技術,ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• Si(110)とSi(100)表面の初期酸化過程の違い : リアルタイム光電子分光測定から(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• Si基板上への高移動度極薄チャネル層形成のためのグラフェン・オン・シリコン(GOS)技術(TFT(有機,酸化物),一般)
• Si基板上に形成したエピタキシャルグラフェンとその電子デバイス応用(機能ナノデバイス及び関連技術)
• 太陽電池の夢を追って
• 四角い断面をもった金属酸化物ナノチューブ
• 二酸化モリブデン(MoO2)ナノチューブ研究の現状
• 不活性ガスカ-テン燃焼炎法によるダイヤモンド薄膜形成中の燃焼炎電流2
• 不活性ガスカ-テン燃焼炎法によるダイヤモンド薄膜形成中の燃焼炎電流
• パルス電界常圧プラズマ化学気相成長法によるSi薄膜堆積
• Si基板上に形成したエピタキシャルグラフェンとその電子デバイス応用(機能ナノデバイス及び関連技術)
• グラフェン形成のためのSi(110)基板上3C-SiC(111)成長
• パルスモードホットメッシュCVD法によるGaN成長条件の最適化(薄膜プロセス・材料,一般)
• 変調加熱昇温脱離法によるガス放出特性評価
• C-6-7 Hot-mesh CVD法を用いたSiC/Si(111)上へのGaN成長(C-6.電子部品・材料,一般講演)
• Hot-Mesh CVD法によるSi熱酸化膜上の(100)配向SiC結晶(電子部品・材料,及び一般)
• 有機シランガスを用いたSi 基板上シングルドメイン SiC 薄膜の形成メカニズム
• 高周波マグネトロンスパッタリング法により作製したダイヤモンドライクカーボン(DLC)膜の構造と熱的安定性
• アルミニウムの極薄酸化膜 : アルコール切削法による超高真空対応表面の作成
• シリコン表面熱酸化初期過程の反応速度論
• その場PドープされたSiガスソースMBEの成長・ドーピング機構
• 26pL-2 高輝度放射光によるリアルタイム光電子分光 : 半導体表面反応のその場観察
• Si(100):P表面へのSiH_4、Si_2H_6吸着過程
• 水素を通して見たSiガスソースMBEの表面化学
• アルミニウム系真空容器技術の現状(真空技術)
• シランを用いたシリコンガスソースMBEの成長機構 : エピタキシーI
• 4p-E4-2 NMRスピンエコーによる半導体結晶中四極子相互作用の検出
• アルミニウム合金製分子線エピタキシ-容器の真空性能
• 分子線エピタキシ-用アルミニウム合金超高真空チャンバ-1-
• クロム添加半絶縁性砒化ガリウムのEPRによる評価
• Si(111), (110), (100)基板上3C-SiC薄膜の熱改質によるグラフェン・オン・シリコン形成
• グラフェンをシリコンの上に
• C-10-2 Si(001)基板上におけるグラフェンFET(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• アルミニウム合金製分子線エピタキシー容器の真空性能
• グラフェンをシリコンの上に(レーダー)
• 基板相互作用によるグラフェンの電子状態制御 (電子デバイス)
• C-10-15 ダイヤモンドライクカーボン薄膜をトップゲート絶縁膜としたグラフェンFET(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• 有機金属化合物を用いたSiC/Geナノドット積層構造の作製
• 基板相互作用によるグラフェンの電子状態制御(TFT(有機,酸化物),一般)
• Si(110)面上熱酸化膜形成時におけるSiサブオキサイド時間発展のXPSリアルタイム測定
• C-6-13 ガスソースMBEによって作製されたGe・SiCドットの発光特性(C-6. 電子部品・材料,一般セッション)
• ガスソースMBEによるSi上の高密度Geナノドットの作製と発光特性(薄膜プロセス・材料,一般)
• ガスソースMBE法による高密度Geナノドット/SiC積層構造の作製とその発光特性
• Ar雰囲気下高温アニールによる6H-SiC(0001)面上高品質エピタキシャルグラフェン形成(有機デバイス・酸化物デバイス・一般)
• CI-1-3 グラフェンテラヘルツレーザーとフォトニックデバイス応用の可能性(CI-1.光アクティブデバイスの新たな展開,依頼シンポジウム,ソサイエティ企画)
• 基板相互作用によるグラフェンの電子状態制御

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク