Si(111), (110), (100)基板上3C-SiC薄膜の熱改質によるグラフェン・オン・シリコン形成
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概要
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- 2010-07-10
著者
-
齋藤 英司
東北大学電気通信研究所
-
末光 眞希
東北大学電気通信研究所
-
半田 浩之
東北大学電気通信研究所
-
宮本 優
東北大学電気通信研究所
-
吹留 博一
東北大学電気通信研究所
-
末光 眞希
東北大通研
-
末光 真希
東北大学電気通信研究所
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