基板相互作用を援用したグラフェンのナノ構造・物性制御
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2012-10-10
著者
関連論文
- Si基板上への高移動度極薄チャネル層形成のためのグラフェン・オン・シリコン(GOS)技術(TFT(有機,酸化物),一般)
- Si(111), (110), (100)基板上3C-SiC薄膜の熱改質によるグラフェン・オン・シリコン形成
- C-10-2 Si(001)基板上におけるグラフェンFET(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- 基板相互作用によるグラフェンの電子状態制御 (電子デバイス)
- 基板相互作用によるグラフェンの電子状態制御(TFT(有機,酸化物),一般)
- 基板相互作用を援用したグラフェンのナノ構造・物性制御
- Ar雰囲気下高温アニールによる6H-SiC(0001)面上高品質エピタキシャルグラフェン形成(有機デバイス・酸化物デバイス・一般)
- 基板相互作用によるグラフェンの電子状態制御