基板相互作用によるグラフェンの電子状態制御(TFT(有機,酸化物),一般)
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概要
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我々は、次世代デバイス材料:グラフェンのSi基板へのエピ成長に成功している。このエピグラフェンのデバイス応用に向けては、使途に応じたグラフェンの電子状態の制御が重要である。我々は、Si基板面方位によるグラフェンの積層構造の制御に成功し、さらに、この積層制御による電子状態の制御に成功した。さらに、微細加工を施したSi基板上へのグラフェン・エピ成長に成功した。これらのエピ成長技術により、ナノデバイス応用用途に適したエピグラフェンの作製が可能となる。
- 2012-04-11
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