C-10-15 ダイヤモンドライクカーボン薄膜をトップゲート絶縁膜としたグラフェンFET(C-10.電子デバイス,一般セッション)
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概要
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- 2012-03-06
著者
-
末光 眞希
東北大学電気通信研究所
-
小川 修一
東北大学多元物質科学研究所
-
高桑 雄二
東北大学多元物質科学研究所
-
小川 修一
東北大学 多元物質科学研究所
-
高桑 雄二
東北大学 多元物質科学研究所
-
尾辻 泰一
東北大学電気通信研究所
-
尾辻 泰一
東北大学電気通信研究所:jst-crest
-
末光 眞希
東北大通研
-
末光 哲也
東北大学電気通信研究所
-
尾辻 泰一
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
尾辻 泰一
東北大学 電気通信研究所
-
尾辻 泰一
東北大 電通研
-
鷹林 将
東北大電気通信研究所
-
尾辻 康一
九州工大
-
鷹林 将
東北大学電気通信研究所
-
楊 猛
東北大学多元物質科学研究所
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