光電子制御プラズマCVDによるナノグラファイト成長 : 結晶性の放電条件依存(配線・実装技術と関連材料技術)
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概要
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グラフェンを低温(400℃以下)、触媒無し、大面積成長させるため、我々は光電子制御プラズマを開発した。本研究では光電子制御プラズマの放電条件がグラファイト材料への結晶性に与える影響を明らかにするため、結晶性の放電電圧依存を調べた。紫外線照射を行わない通常の直流放電プラズマに比べて、光電子制御プラズマではラマン分光スペクトルの半値幅が細く、結晶性が良いことが分かった。また放電電圧を下げるほど結晶性は向上し、200Vではマイクロ波プラズマCVDで形成したグラファイト材料(カーボンナノウォール)よりも良い結晶性が得られた。この結果から高品質グラファイトの成長には試料へのイオン衝突が必要であることが示唆された。
- 2011-01-31
著者
-
小川 修一
東北大学多元物質科学研究所
-
角 治樹
東北大学多元物質科学研究所
-
二瓶 瑞久
CREST・JST
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高桑 雄二
東北大学多元物質科学研究所
-
小川 修一
東北大学 多元物質科学研究所
-
高桑 雄二
東北大学 多元物質科学研究所
-
二瓶 瑞久
Mirai-selete
-
佐藤 元伸
富士通株式会社
-
佐藤 元伸
科学技術振興機構戦略的創造研究推進事業
-
二瓶 瑞久
科学技術振興機構戦略的創造研究推進事業
-
二瓶 瑞久
独立行政法人産業技術総合研究所連携研究体グリーン・ナノエレクトロニクスセンター
-
佐藤 元伸
東北大学多元物質科学研究所:(独)産業技術総合研究所連携研究体グリーン・ナノエレクトロニクスセンター
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