細幅Cu配線のストレスマイグレーション(低誘電率層間膜,配線材料及び一般)
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概要
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幅の細いCu配線につながるViaの直下でストレスマイグレーション(SIV-N)が生じることを初めて見出した。SIV-Nを確認した試験パターンは2層配線構造で、1層目、2層目とも配線幅0.14μm、配線長200μmのCu配線からなり、相互にViaで接続したものである。幅の太い配線につながるViaの直下でストレスマイグレーション(SIV-W)が生じることは良く知られているが、SIV-Wを説明するモデルによれば、幅が細い配線につながるViaの直下では現実的な時間内にはストレスマイグレーションは生じ得ないとされている。このため、SIV-Nの出現にはSIV-Wとは異なるメカニズムが働いているものと考えられる。今回、Cu配線上に形成するcap絶縁膜の前処理やcap絶縁膜の膜質がSIV-N,SIV-W,エレクトロマイグレーション(EM)へ与える影響についても調査し、SIV-N,SIV-W,EMをすべて満足するプロセス条件を見出した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-01-30
著者
-
宮嶋 基守
富士通(株)
-
河野 隆宏
富士通(株)
-
中村 友二
富士通研究所
-
中村 友二
(株)富士通研究所
-
佐藤 元伸
富士通株式会社
-
鈴木 貴志
富士通研究所
-
松山 英也
富士通
-
中村 友二
株式会社富士通研究所集積材料研究部
-
水島 賢子
株式会社富士通研究所
-
福山 俊一
富士通株式会社
-
松山 英也
富士通株式会社
-
宮嶋 基守
富士通株式会社
-
鈴木 貴志
株式会社 富士通研究所
-
細田 勉
富士通株式会社プロセス開発部
-
大塚 敏志
富士通株式会社プロセス開発部
-
庄野 健
富士通(株)品質保証統括部
-
庄野 健
富士通株式会社
-
鈴木 貴志
株式会社富士通研究所
-
大倉 嘉之
富士通株式会社
-
河野 隆宏
富士通株式会社
-
綿谷 宏文
富士通株式会社
-
塩津 基樹
富士通株式会社
-
大塚 敏志
富士通株式会社
-
水島 賢子
富士通研究所
-
水島 賢子
東京大学大学院工学系研究化総合研究機構
-
細田 勉
富士通株式会社
-
佐藤 元伸
東北大学多元物質科学研究所:(独)産業技術総合研究所連携研究体グリーン・ナノエレクトロニクスセンター
-
中村 友二
株式会社富士通研究所
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