低温プロセスによるSiN_x膜の特性評価(簿膜プロセス・材料,一般)
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概要
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微細化により達成してきた従来のLSIの高性能化は、量子限界や微細化限界が切迫し、新たな方向性の検討が盛んに行われている。その一つに、3次元集積回路技術がある。近年、チップあるいはウェハ間を最短で配線するシリコン貫通ビア配線(Through Si Via: TSV)の実現により、急速に3次元LSIが発展してきた。そこで本研究では、TSVに欠かせない低温で有用なSiNx膜の作製を主に反応性スパッタにて行い、その特性を従来のPECVD法にて作製したSiN_x膜と比較検討した。膜密度、屈折率、組成などのSiNx膜の特性は、主に膜中の結合状態に依存しており、Si-N結合をいかに形成するかが他の結合状態に比べて重要な要因となることが知られた。
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2013-10-17
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