Cu/VN/SiO_2/Si構造におけるナノクリスタルVNバリヤの有用性
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概要
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微細なCu配線を実現するためには、低抵抗で極薄なバリヤ材料が必要となる。本研究ではVN膜をナノクリスタル膜として成膜することにより、バリヤを10mmまで極薄化した場合の高信頼Cu/VN/SiO_2/Si構造の熱的安定性をXRD, AES, XPS, 断面TEM及びSIMS分析を用いて評価した。その結果、得られた梱膜は低抵抗で、かつナノクリスタル膜として成膜されていることがわかった。また、VN膜の膜厚を変化させても本質的には界面での拡散・反応を生じることなく、かつ成膜時の VN/SiO_2 界面で既に見られるわずかな酸化還元反応も熱処理によって進行することなく、安定な系を保持できる優れたバリヤ材料であることがわかった。特に、10mmの極薄VNバリヤを用いた構造は、600℃で1時間の熱処理後においても、バリヤ自身の大きな構造変化も見られず、またCuの熱処理に伴う SiO_2 方向への拡散も見られなかった。このことから、高信頼なCu配線系の実現には、ナノクリスタルバリヤの有用性が示唆された。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-08-23
著者
-
糸井 貴臣
北見工業大学電気電子工学科:(現)千葉大学
-
武山 真弓
北見工業大学電気電子工学科
-
野矢 厚
北見工業大学工学部電気電子工学科
-
野矢 厚
北見工業大学電気電子工学科
-
佐藤 和美
北見工業大学電気電子工学科:(現)(株)日立国際電気
-
坂上 正和
北見工業大学電気電子工学科
-
武山 真弓
北見工業大学工学部電気電子工学科
-
武山 真弓
北見工業大学
-
野矢 厚
北見工業大学
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