SiO_2上の薄いNb[110]バリヤ上に形成されたCu[111]薄膜(電子部品・材料, 及び一般)
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概要
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エレクトロマイグレーション耐性に優れた[111]優先配向を示すCu配線層を、SiO_2上に形成した100nmの膜厚のNb[110]バリヤ上に形成できたことを先に報告した。本報告では、Nbバリヤ層を20nm及び10nmとより薄層化したときのCu層の配向性について調べた。その結果、Cu[111]配向性はNbバリヤの薄層化に伴って若干劣化が見られるものの、基本的には配向性を保持した安定な構造となることがわかった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-07-25
著者
-
武山 真弓
北見工業大学電気電子工学科
-
野矢 厚
北見工業大学工学部電気電子工学科
-
佐藤 勝
北見工業大学電気電子工学科
-
MANIRUZZAMAN Md.
北見工業大学工学部電気電子工学科
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野矢 厚
北見工業大学電気電子工学科
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武山 真弓
北見工業大学工学部電気電子工学科
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野矢 厚
北見工業大学工学部
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武山 真弓
北見工業大学工学部
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武山 真弓
北見工業大学
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野矢 厚
北見工業大学
-
佐藤 勝
北見工業大学
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