Cu/W-nitride/Siコンタクト系におけるW-nitride薄膜のバリヤ特性
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概要
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我々は、反応性スパッタによって種々のWN_x薄膜を作製し、そのキャラクタリゼーション及びCu/WN_x/Siコンタクト系におけるWN_x膜のバリヤ特性についての検討を行った。その結果、W_2N(111)面の高配向成長を示したW_<65>N_<35>バリヤはCuメタライゼーションにとって優れたバリヤ特性を示すことがわかり、Cu/W_<65>N_<35>/Siコンタクト系は800℃で1時間の熱処理後においても安定なコンタクトを実現することが明らかとなった。このことは、作製したW2_Nバリヤ自身の優れた特性、すなわち不純物等の混入が見られないこと、結晶性が良好であること、更に熱処理によって構造変化を起こさないこと等によるものであることが知られた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-11-08
著者
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