Tiシリサイド相の変化がCu/CuTi_2/Ti/Siコンタクト系のSi界面安定性に及ぼす影響
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概要
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Si-LSIにおける高安定なCuメタライゼーションの実現を念頭におき,Cu/CuTi_2/Ti/Siコンタクト系を作製し,熱的安定性の検討を行った.その結果,このコンタクト系は熱処理温度の増加に伴い,中間CuTi_2相はCuTiへと変化するのが見られるが,570℃までの熱処理では系全体の崩壊に至らず,上部Cuおよび中間CuTi相とSiとの反応は仰制することができた.その結理は,Si界面に存在するTiシリサイド相が完全に最終形成相であるTiSi_2の化学状態となるまでは,Si拡散バリヤとして機能できることにある.また,系の崩壊はSiがTiSi_2中を上層部方向に拡散し,CuTi中のTiやCuと直接的な反応が可能となった結果生じるものであり,最終的には相分離した2層シリサイド構造が得られる.以上のことから,このコンタクト系の熱的安定性は,熱処理に伴うSi界面でのTiシリサイドの相成長と密接に関係することが明らかとなった.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1993-10-25
著者
-
佐々木 貴啓
富士通株式会社
-
吉本 健一
旭川工業高等専門学校
-
野矢 厚
北見工業大学工学部電気電子工学科
-
佐々木 克孝
北見工業大学工学部機能材料工学科
-
佐々木 貴啓
北見工業大学工学部電子工学科
-
佐々木 貴啓
鳥取大学工学部附属電子ディスプレイ研究センター(tedrec):シャープ株式会社モバイル液晶事業本部
-
篭味 慎也
北見工業大学工学部電気電子工学科
-
佐々木 克孝
北見工業大学
-
野矢 厚
北見工業大学工学部
-
野矢 厚
北見工業大学
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