Ta_2N陽極酸化膜キャパシタの耐熱要因と薄膜化の検討
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概要
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Ta_2N陽極酸化膜キャパシタは, Ta陽極酸化膜キャパシタに比べ耐熱性を著しく改善できる. オージェ電子分光分析等によってその原因を検討したところ,下地金属であるTa_2N化合物膜自体の耐熱酸化性が大きく, Ta膜の場合より下地層への酸素拡散が生じにくいためであることがわかった.また,450t以上の高温で生じるTa_2Nキャパシタの熱劣化には,Ta膜の場合と同様に酸化膜中の酸素原子が下地金属方向へ拡散し下地金属界面層の厚さが増大することと共に,Al上部電極の熱酸化と電極/酸化物界面の崩壊も関与していることがわかった. 次に,Ta_2Nの耐熱酸化性に着目して更なる薄膜化を検討した結果,化成電圧を30Vまで低減させても160V化成したTaの場合よりも高耐熱で,かつ容量値も3倍以上の値を実現できることがわかった.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-07-25
著者
-
阿部 良夫
Department Of Materials Science Kitami Institute Of Technology
-
野矢 厚
北見工業大学工学部電気電子工学科
-
川村 みどり
北見工業大学工学部機能材料工学科
-
山根 美佐雄
北見工業大学工学部機能材料工学科
-
野矢 厚
北見工業大学電気電子工学科
-
Abe Yuji
Advanced Technology R&d Center Mitsubishi Electric Corporation
-
Abe Y
Mitsubishi Electric Corp. Hyogo Jpn
-
Kamijyo Masahiro
Department Of Materials Science Faculty Of Engineering Kitami Institute Of Technology
-
阿部 良夫
北見工業大学マテリアル工学科
-
川村 みどり
Department Of Materials Science Kitami Institute Of Technology
-
佐々木 克孝
北見工業大学
-
川村 みどり
北見工業大学マテリアル工学科
-
野矢 厚
北見工業大学工学部
-
野矢 厚
北見工業大学
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