CPM2000-82 (001)Si上(111)Cu/(111)HfN/(002)Hf三層膜の連続単配向成長に及ぼすHf膜厚の影響
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概要
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(111)Cu/(111)HfN/(002)Hfコンタクト構造は、(001)Si基板上に連続単配向成長させ得る。この系では、コンタクト構成直後の段階から、優れたエレクトロマイグレーション耐性を示す(111)Cuの単配向成長ばかりでなく、最も低いコンタクト抵抗率を示すHf3Si2シリサイド領域をSi界面に確保することも可能である。そこで、このコンタクト系が0.25μmルールに適用可能か否かを検討するため、HfNバリヤ層の厚さを300Aとし、Hf密着層を300AとしてHfN/Hf積層膜の薄層化を試みた。その結果、(111)Cuの単配向成長はやはり可能であり、同時にHf3Si2シリサイド領域も確保し得ることが判った。しかも、この系は通常の層間絶縁膜形成に要求される400℃より高い、520℃の熱処理においても充分安定であるので、高安定なCuメタライゼーション技術のためのコンタクト構造のあり方として、有用な方策になり得ることが結論された。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-08-17
著者
-
佐々木 克孝
Department Of Materials Science Kitami Institute Of Technology
-
阿部 良夫
Department Of Materials Science Kitami Institute Of Technology
-
佐々木 克孝
北見工業大学工学部機能材料工学科
-
新海 聡子
日本学術振興会特別研究員(PD)
-
柳沢 英人
北見工業大学工学部能材料工学科
-
阿部 良夫
北見工業大学工学部能材料工学科
-
柳沢 英人
北見工業大学
-
Abe Yuji
Advanced Technology R&d Center Mitsubishi Electric Corporation
-
Abe Y
Mitsubishi Electric Corp. Hyogo Jpn
-
新海 聡子
詫間電波高専
-
Abe Yoichi
Department Of Applied Science Tokyo Electrical Engineering College
-
阿部 良夫
北見工業大学マテリアル工学科
-
北田 泰裕
北見工業大学工学部機能材料工学科
-
佐々木 克孝
北見工業大学
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