反応性スパッタリング法によるRuO_2薄膜の作製とその電気特性
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概要
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DRAM (Dynamic Random Access Memory)の高集積化とともに, キャパシタ面積が縮小するため, 小さな面積で十分な静電容量を確保するためには, 従来使われてきたSiO_2/Si_3N_4複合絶縁膜に替わり, SrTiO_3, Pb(Zr,Ti)O_3などの高誘電率材料が必要とされている。これら高誘電率膜の電極としては, 主に酸化し難いPtが用いられてきたが, 微細加工性に問題があり, Ptに替わる新しい電極材料の開発が重要な課題となっている。本研究では, 金属状態でも, 酸化物でも抵抗率が小さく熱的に安定で, LSI配線の拡散バリアとしても検討されているRu及びRuO_2膜について, 反応性スパッタリング法による作製条件と, 抵抗率, 結結構造と化学結合状態との関係について検討し, 低抵抗膜の作製条件を明らかにすることを目的とした。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-03-06
著者
-
阿部 良夫
Department Of Materials Science Kitami Institute Of Technology
-
佐々木 克孝
北見工業大学工学部機能材料工学科
-
柳沢 英人
北見工業大学工学部能材料工学科
-
阿部 良夫
北見工業大学工学部能材料工学科
-
川村 みどり
北見工業大学工学部機能材料工学科
-
柳沢 英人
北見工業大学
-
Abe Yuji
Advanced Technology R&d Center Mitsubishi Electric Corporation
-
Abe Y
Mitsubishi Electric Corp. Hyogo Jpn
-
Kamijyo Masahiro
Department Of Materials Science Faculty Of Engineering Kitami Institute Of Technology
-
阿部 良夫
北見工業大学マテリアル工学科
-
川村 みどり
Department Of Materials Science Kitami Institute Of Technology
-
加我 友紀直
北見工業大学工学部機能材料工学科
-
佐々木 克孝
北見工業大学
-
川村 みどり
北見工業大学マテリアル工学科
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