CPM2000-83 薄いZrN/Zr2層膜を介在させたAl/ZrN/Zr/Siコンタクト系の熱的安定性
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概要
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(002)Zrは(001)Si基板上に単配向成長させることが可能であり、その上には(111)ZrNが、更にその上には(111)Alが連続単配向成長することから、優れたエレクトロマイグレーション耐性を有するコンタクト系が期待できる。この系では、Si界面に10^<-8>Ωcm^2台の低コンタクト抵抗率を有するZrSi2の領域も確保できる。そこでこの系を用いて、通常の層間絶縁膜形成に要する400℃、30分の熱処理に耐え得て、且つ0.25μmルールにも適用可能となるよう、ZrN/Zr2層膜の薄層化を検討した。その結果、Zr密着層及びZrNバリヤ層を共に200Aとすれば、この事が可能となることが判った。従って、ZrN(200A)/Zr(200A)2層膜を、Alメタライゼーション技術へ適用することは、0.25μmルールに適用可能なコンタクト構造を得る上で、有用な一方策になり得ることが結論された。
- 2000-08-17
著者
-
佐々木 克孝
Department Of Materials Science Kitami Institute Of Technology
-
阿部 良夫
Department Of Materials Science Kitami Institute Of Technology
-
佐々木 克孝
北見工業大学工学部機能材料工学科
-
新海 聡子
日本学術振興会特別研究員(PD)
-
三宅 秀和
北見工業大学工学部能材料工学科
-
柳沢 英人
北見工業大学工学部能材料工学科
-
阿部 良夫
北見工業大学工学部能材料工学科
-
柳沢 英人
北見工業大学
-
Abe Yuji
Advanced Technology R&d Center Mitsubishi Electric Corporation
-
Abe Y
Mitsubishi Electric Corp. Hyogo Jpn
-
新海 聡子
詫間電波高専
-
Abe Yoichi
Department Of Applied Science Tokyo Electrical Engineering College
-
阿部 良夫
北見工業大学マテリアル工学科
-
佐々木 克孝
北見工業大学
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