n-(001)Si上への単配向Hf膜の作製条件の検討
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概要
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スパッタリング法により、n-(001)Si上への(002)単記向Hf膜の作製条件を、種々の成膜パラメータを変化させることで検討した。その結果、スパッタ電力50W以上、基板温度400℃程度以上、スパッタガス圧2mTorr程度以下、膜厚1000 A以下の条件下の時、Hf/Si界面にはアモルファスシリサイドのinterlayerが介在するが、n-(001) Si上に(002)Hf膜が単記何することが判った。更にその(002)Hf膜上には、エレクトロマイグレーション耐性に優れたAl(111)面を単記向成長させ得ることも判った。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-08-04
著者
-
阿部 良夫
Department Of Materials Science Kitami Institute Of Technology
-
佐々木 克孝
北見工業大学工学部機能材料工学科
-
柳沢 英人
北見工業大学工学部能材料工学科
-
阿部 良夫
北見工業大学工学部能材料工学科
-
川村 みどり
北見工業大学工学部機能材料工学科
-
柳沢 英人
北見工業大学
-
Abe Yuji
Advanced Technology R&d Center Mitsubishi Electric Corporation
-
Abe Y
Mitsubishi Electric Corp. Hyogo Jpn
-
新海 聡子
詫間電波高専
-
Kamijyo Masahiro
Department Of Materials Science Faculty Of Engineering Kitami Institute Of Technology
-
阿部 良夫
北見工業大学マテリアル工学科
-
川村 みどり
Department Of Materials Science Kitami Institute Of Technology
-
新海 聡子
北見工業大学 工学部 機能材料工学科
-
佐々木 克孝
北見工業大学
-
川村 みどり
北見工業大学マテリアル工学科
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