超高真空系で作製したMo/(100)Si系のシリサイド形成初期過程
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概要
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Moシリサイドの形成初期過程に及ぼす真空条件の違いの影響を調べるため, Mo/Si系を高真空下と清浄な超高真空下でそれぞれ熱処理し, 界面固相反応の挙動をX線回折, オージェ電子分光分析及びX線光電子分光分析によって比較・検討した. その結果, 超高真空下におけるシリサイド形成開始温度は, 高真空下よりも低いことがわかった. しかしながら, 真空条件の相違により形成相に違いは見られず, 高真空, 超高真空ともにM0_3Si, M0_5Si_3とMoSi_2がマルチフエーズで初期形成し, そのまま成長することが判明した. その際, それぞれの主形成相はともにMoSi_2であるが, 真空条件により主拡散種は異なっており, 高真空下ではSi, 超高真空下では, より低温でSiが拡散し始めると同時に, MOも拡散する.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-08-25
著者
-
大石 直也
北見工業大学工学部機能材料工学科 : (現)大倉電気株式会社
-
佐々木 克孝
Department Of Materials Science Kitami Institute Of Technology
-
阿部 良夫
Department Of Materials Science Kitami Institute Of Technology
-
佐々木 克孝
北見工業大学工学部機能材料工学科
-
柳沢 英人
北見工業大学工学部能材料工学科
-
阿部 良夫
北見工業大学工学部能材料工学科
-
柳沢 英人
北見工業大学
-
Abe Yuji
Advanced Technology R&d Center Mitsubishi Electric Corporation
-
Abe Y
Mitsubishi Electric Corp. Hyogo Jpn
-
阿部 良夫
北見工業大学マテリアル工学科
-
佐々木 克孝
北見工業大学
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