C-6-7 Nb/Hf2層陽極酸化膜キャパシタの電気的特性
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2002-03-07
著者
-
土橋 剛
旭川高専
-
佐々木 克孝
北見工大
-
佐々木 克孝
北見工業大学工学部機能材料工学科
-
土橋 剛
旭川工業高等専門学校電気工学科
-
土橋 剛
旭川工業高等専門学校電気情報工学科
-
三浦 仁嗣
旭川高専
関連論文
- C-6-10 Ta/Hf積層陽極酸化膜キャパシタの損失特性と酸化過程の検討
- Al-Y合金薄膜に形成される表面酸化層のキャラクタリゼーションと形成過程の検討
- Al-Ti 合金薄膜表面酸化層のキャラクタリゼーション
- Al-Y合金薄膜表面酸化層のキャラクタリゼーション
- Nb/Si系の界面反応におけるmetal-richシリサイドの初期形成
- C-6-3 化学量論的なTaN薄膜の(100)Si上での室温エピタキシャル成長(C-6.電子部品・材料,エレクトロニクス2)
- Nb/Hf 2層陽極酸化膜キャパシタの電気的特性
- Ta-Zr合金による陽極酸化膜キャパシタの電気的特性に及ぼす熱処理温度と酸化膜厚低減の影響
- C-6-8 Ta-Zr合金による熱的に安定な高誘電率陽極酸化膜キャパシタの作製
- C-6-7 Nb/Hf2層陽極酸化膜キャパシタの電気的特性
- (III)Si上にエピタキシャル成長させた(III)HfN膜と(III)Cu/(III)HfN積層膜のAFM観察
- Al_3Ta陽極酸化膜キャパシタの作製とその耐熱性
- (111)Si上(111)Cu/(111)HfN2層膜の連続エピタキシャル成長と(111)HfN膜の拡張バリア特性
- CPM2000-90 NbドープSrTiO_3薄膜の膜質に及ぼすMgO基板表面処理とポストアニールの影響
- CPM2000-83 薄いZrN/Zr2層膜を介在させたAl/ZrN/Zr/Siコンタクト系の熱的安定性
- CPM2000-76 導電性RhO2薄膜の電気特性に及ぼす熱処理の影響
- CPM2000-72 WOx薄膜の形成過程とその電気及び光学特性
- Ta/Si系におけるシリサイド形成過程の検討
- 超高真空系で作製したMo/(100)Si系のシリサイド形成初期過程
- Alメタライゼーション系におけるAl_12Mo/Mo積層膜の拡散バリヤ効果
- (200)TiN高配向膜上への(111)Al高配向成長に及ぼすAl_3Ti中間介在層の影響
- SiO2 上の Cu 配線に対する Zr 及び ZrN 拡散バリア特性の検討
- Cu/metal/SiO_2/Si構造における界面反応の検討
- Ta_2N陽極酸化膜による耐熱性に優れた薄膜キャパシタの作製
- Al_3Ti/Ti積層膜の拡散バリヤ特性に及ぼす膜厚の影響
- Al/Al_3Ti/Ti/Si 積層コンタクト構造の熱的安定性の検討
- 低化成電圧で作製したAl_3Hf陽極酸化膜キャパシタの熱劣化機構
- バルブメタルの金属間化合物のアノード酸化とコンデンサへの応用
- Al_3Hf金属間化合物の陽極酸化膜による高耐熱, 高信頼性薄膜キャパシタの検討
- Al_3Hf陽極酸化膜キャパシタの電気的特性と耐熱特性
- C-6-5 Ta/Hf積層陽極酸化膜キャパシタの電気的特性
- バルブ金属(Hf,Zr,Nb,Ta)2層陽極酸化膜キャパシタの損失特性と拡散現象の検討
- オージェ電子分光を用いたCu/Ta_2Al/Ta/Siコンタクト構造の熱的安定性の検討
- Ta/Si系におけるシリサイド形成初期過程の検討
- Y添加Cu層を有するCu/TiN/Siコンタクト系のSi拡散挙動
- CPM2000-82 (001)Si上(111)Cu/(111)HfN/(002)Hf三層膜の連続単配向成長に及ぼすHf膜厚の影響
- Al_3Zr金属間化合物膜の陽極酸化とそれを応用した高信頼性薄膜キャパシタの作製
- Alメタライゼーション系へのAl_3Hf/Hf積層膜の拡散バリヤとしての適用
- Al_3Hf金属間化合物膜の結晶化過程と電気的特性
- n-(001)Si上への単配向Hf膜の作製条件の検討
- 反応性スパッタリング法によるRuO_2薄膜の作製とその電気特性
- Al-Si間におけるAl_3Zr/Zr積層膜の拡散バリヤ効果について
- VNx薄膜の作製条件の検討とその電気的特性
- CuTi- Cu_3Ti化合物合金膜の作製とCu/CuTi-Cu_3Ti/TiN/Siコンタクト系への拡散バリヤとしての適用
- ZrN薄膜の低温プロセスにおける作製
- Al/Al_3Zr/Zr/Siコンタクト構造の熱的安定性
- Tiシリサイド相の変化がCu/CuTi_2/Ti/Siコンタクト系のSi界面安定性に及ぼす影響
- CuTi_2金属間化合物膜の作製とCu/CuTi_2/Siコンタクト構造への適用
- C-6-5 Nb拡散によるTa、Ti陽極酸化膜の伝導度制御の検討(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- C-6-10 2層陽極酸化膜の損失特性と拡散現象の検討(C-6.電子部品・材料,一般講演)
- バルブ金属(Hf,Zr,Nb)2層陽極酸化膜キャパシタの損失特性と拡散現象
- 周期的Al/Hf積層膜を陽極酸化した薄膜キャパシタの損失特性
- 周期的Al/Hf積層膜を陽極酸化した薄膜キャパシタの電気的特性
- A1/Ta/Hf多層陽極酸化膜キャパシタの損失特性と酸化過程
- Ta介在層によるAI/Hf2層陽極酸化膜キャパシタの特性改善
- Hf-Al 多層誘電体薄膜キャパシタの電気的特性
- Al-Ta二層陽極酸化膜のStoichiometry と電気的特性
- Al-Ta2層陽極酸化膜キャパシタの誘電特性に及ぼす熱処理効果
- 二層誘電体薄膜キャパシタの電気的特性
- ミニ・コンピュータとマイクロ・コンピュータの結合
- ミニ・コンピューターによるマイクロ・コンピュータのシミュレータ
- (001)Siと(111)Si上へのAl/HfN積層膜の連続単配向成長条件の検討
- 高温相と低温相の積層構造を考慮したBi系酸化物超伝導体の抵抗温度特性シミュレーション
- Hf-Ta-Hf3層陽極酸化膜キャパシタの電気的特性とTaマイグレ-ション抑制効果
- Al-Ta(N)-A13層陽極酸化膜の誘電特性に及ぼすTaマイグレ-ションの影響
- C-6-6 Ti/Hf/Nb積層膜の陽極酸化によるTi酸化膜の伝導度制御(C-6.電子部品・材料,一般セッション)