Ta介在層によるAI/Hf2層陽極酸化膜キャパシタの特性改善
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概要
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AI/Hf2層膜を陽極酸化した場合,下層Hfの酸化状態が不完全となり,良質のキャパシタが得られない.これを改善するため,AI/Hf2層膜の中間にTa層を介在させることで,下層Hf膜中への酸素供給を促進し,ある化成電圧範囲までtanδを底減できることを示した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1993-07-25
著者
-
土橋 剛
旭川高専
-
野矢 厚
北見工業大学工学部電気電子工学科
-
佐々木 克孝
北見工業大学工学部機能材料工学科
-
土橋 剛
旭川工業高等専門学校電気工学科
-
土橋 剛
旭川工業高等専門学校
-
梅沢 利二
札幌学院大学
-
佐々木 克孝
北見工業大学
-
野矢 厚
北見工業大学
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