Ta-W合金拡散バリヤを用いたAl(111)/Si(100)コンタクトの形成
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概要
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Al配線層におけるエレクトロマイグレーション耐性の向上には, モザイク度の小さい[111]優位配向Al薄膜の形成が有効である.我々は, Al(111)面を優位に配向成長することの可能な拡散バリヤを用いたAl(111)/Si(100)コンタクトの実現を検討した。エピタキシャル成長の方位関係より, fccAl(111)面の成長基板としてbcc金属の(110)面を用いること, さらに, 拡散バリヤの熱的安定性を考慮に入れてバリアを合金とすることを前提に, bcc金属であるTaとWからなる置換型固溶体合金薄膜の適用を検討した。その結果, Al(111)/Ta_0.7W_0.3(110)/Si(100)コンタクトを得ることができ, コンタクトの構造, 熱処理に伴う拡散・反応を調べるところ, 配向性に優れた積層構造となっていること, Al_12WおよびTaSi_2の形成反応は見られるが, 550℃の熱処理においても安定なコンタクトとなることが明らかとなった.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-08-07
著者
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