45nmノード対応の極薄VNバリヤを用いたCu/VN/SiOC/Si構造のナノ界面制御(電子部品・材料, 及び一般)
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概要
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Si-ULSIにおける配線材料としてCuが用いられているが, そのバリヤとして5nm程度でも十分にCuの拡散を抑制でき, かつ新規に導入されてきたlow-κ材料上でも優れたバリヤ特性を示す材料が切望されている。そこで本研究では, そのようなバリヤの候補としてVN膜を適用し, 5nm程度の極薄バリヤとした場合のSiO_2及びSiOC上でのバリヤ特性について, 中でも特に界面での拡散・反応の制御に着目し, 検討を行った。その結果, VNバリヤは, SiO_2及びSiOC上で優れたバリヤ特性を示し, かつ界面でのミキシング等も排除した安定なナノ界面を実現できることが明らかとなった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-07-25
著者
-
武山 真弓
北見工業大学電気電子工学科
-
野矢 厚
北見工業大学工学部電気電子工学科
-
青柳 英二
東北大学金属材料研究所
-
野矢 厚
北見工業大学電気電子工学科
-
水野 源大
北見工業大学電気電子工学科
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武山 真弓
北見工業大学工学部電気電子工学科
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野矢 厚
北見工業大学工学部
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武山 真弓
北見工業大学工学部
-
武山 真弓
北見工業大学
-
野矢 厚
北見工業大学
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