Cu-Zrアモルファス合金を用いたn-InPへのオーミックコンタクト
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概要
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n-InP上の高安定なオーミックコンタクトを実現するため、Cu-Zrアモルファス合金を適用し、その界面での拡散・反応の挙動及び電気的特性をCu単体を電極とした場合と比較・検討した。その結果、アモルファス合金とすることで、Cu本来の高い拡散性を抑制し、均一な反応層を得ることができ、500℃で安定なオーミックコンタクトを実現できた。さらに、オーミックコンタクトを得るためには、界面で薄くても均一な反応層が得られることが重要であることがCu-Zr/InPとCu/InPコンタクトの界面反応の違いから推察された。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-10-15
著者
-
橋詰 保
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
-
長谷川 英機
北海道大学工学研究科、量子界面エレクトロニクス研究センター及び集積電子デバイス工学分野
-
武山 真弓
北見工業大学電気電子工学科
-
長谷川 英機
北海道大学
-
野矢 厚
北見工業大学工学部電気電子工学科
-
野矢 厚
北見工業大学電気電子工学科
-
板井 順一
北見工業大学電気電子工学科
-
橋詰 保
北海道大学 情報科学研究科 量子集積エレクトロニクス研究センター
-
武山 真弓
北見工業大学
-
野矢 厚
北見工業大学
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