GaNおよびAlGaN/GaN構造への絶縁ゲート形成と評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
GaNおよびAlGaN/GaN構造に対し、原子層堆積法で形成したAl_2O_3膜、および電気化学酸化法で形成した酸化膜による絶縁ゲート形成を行い、その界面特性、絶縁特性の評価を行った。Al_2O_3/n-GaN構造において、Al_2O_3膜堆積後の高温熱処理によりAl_2O_3層に微結晶化が生じ、結晶粒界を通じた漏れ電流が著しくなることを明らかにした。この対策として、SiN表面保護膜を用いた「オーミックファースト」プロセスを適用し、漏れ電流の抑制と低界面準位密度を実現した。また、AlGaN/GaN HEMT構造に対し電気化学酸化プロセスを適用することで埋め込み型MOSゲートHEMTを作製し、ゲートリーク電流の抑制とノーマリオフ動作を実現した。
- 2010-11-04
著者
-
橋詰 保
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
-
水江 千帆子
北海道大学量子集積エレクトロニクスセンターおよび情報科学研究科
-
堀 祐臣
北海道大学量子集積エレクトロニクスセンターおよび情報科学研究科
-
Hashizume T
Advanced Research Laboratory Hitachi Ltd.:department Of Physics Tokyo Institute Of Technology
-
Hashizume Tomihiro
Institute For Materials Research (imr) Tohoku University:(present Address)advanced Research Laborato
-
水江 千帆子
北海道大学情報科学研究科量子集積エレクトロニクス研究センター
-
原田 脩央
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
-
堀 祐臣
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センターおよび情報科学研究科
-
Hitosugi Taro
Department Of Superconductivity University Of Tokyo
-
橋詰 保
北大量集センター情報科学研究科:jst-crest
-
水江 千帆子
北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センターおよび情報科学研究科
-
堀 祐臣
北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センターおよび情報科学研究科
-
Hashizume T
Institute For Materials Research (imr) Tohoku University:(present Address)advanced Research Laborato
-
Hashizume Tamotsu
Research Center For Integrated Quantum Electronics And Graduate School Of Information Science &
-
原田 脩央
北大量集センター情報科学研究科
-
橋詰 保
北海道大学 情報科学研究科 量子集積エレクトロニクス研究センター
-
堀 祐臣
北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センター
関連論文
- 周期的メサゲート構造を有するAlGaN/GaN HEMT (マイクロ波)
- 周期的メサゲート構造を有するAlGaN/GaN HEMT (電子デバイス)
- AlGaN/GaN MIS構造におけるC-V特性の解釈 (電子デバイス)
- GaNおよびAlGaNの深い電子準位 : 電気的評価結果を中心として(窒化物半導体結晶中の欠陥)
- AlGaNの深い準位とAlGaN/GaN HEMTの動作安定性の評価(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性,一般))
- 高Al組成AlGaNの表面特性と深い電子準位(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- AlGaN/GaN HEMTの動作安定性評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- RF-MBE選択成長法を用いたAlGaN/GaN細線ネットワークの形成(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 電気化学プロセスによる化合物半導体ショットキー接合の形成と界面制御
- MgドープGaN表面特性のアニールによる変化(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 原子層堆積により形成したAl_2O_3/AlGaN/GaNの界面評価(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- ナノ細線チャネルを利用した台形ゲートAlGaN/GaN HEMT(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- ヘキサゴナルBDD単電子論理回路のためのGaAs単電子節点デバイスの検討(量子ナノデバイスと回路応用)
- ナノメートルショットキーゲートAlGaN/GaN HFETにおける異常ゲートリーク電流とゲート制御性に関する検討(半導体表面・界面制御と電子デバイスの信頼性, 信頼性一般)
- AlGaN/GaNヘテロ構造を用いたPdショットキー型水素ガスセンサ(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- ゲートレス型AlGaN/GaN HEMTを利用した溶液センサ(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 多重台形チャネルを持つAlGaN/GaN HEMTの特性
- 多重台形型チャネルを持つAlGaN/GaN HEMTの高温での電流安定性(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- ショットキーラップゲート制御GaAsナノワイヤネットワーク構造上への能動回路・順序回路の実装(機能ナノデバイスとおよび関連技術)
- ショットキーラップゲート制御GaAsナノワイヤネットワーク構造上への能動回路・順序回路の実装(機能ナノデバイスとおよび関連技術)
- ショットキーWPG制御GaAsナノワイヤ3分岐接合デバイスの試作と評価
- AlGaN/GaN MIS構造におけるC-V特性の解釈(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- AlGaN/GaNヘテロ構造表面制御とトランジスタ応用(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 電気化学的手法によるInP多孔質構造の形成と高感度化学センサへの応用(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- 高Al組成AlGaNの表面特性と深い電子準位(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 高Al組成AlGaNの表面特性と深い電子準位(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- ゲートレス型AlGaN/GaN HEMTを利用した溶液センサ(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- ゲートレス型AlGaN/GaN HEMTを利用した溶液センサ(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- Al_2O_3/AlGaN/GaNおよびAl_2O_3/n-GaN構造における界面特性(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- Al_2O_3/AlGaN/GaNおよびAl_2O_3/n-GaN構造における界面特性(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- MgドープGaN表面特性のアニールによる変化(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- MgドープGaN表面特性のアニールによる変化(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 窒化物半導体電子デバイスにおける接合制御(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 窒化物半導体電子デバイスにおける接合制御(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 窒化物半導体電子デバイスにおける接合制御(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- デュアルゲート構造を用いたAlGaN/GaN HEMTの電流コラプスの表面帯電部位依存性の評価 (マイクロ波)
- GaN MlS界面構造の評価
- GaNおよびAlGaN/GaN構造への絶縁ゲート形成と評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- GaNおよびAlGaN/GaN構造への絶縁ゲート形成と評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- GaNおよびAlGaN/GaN構造への絶縁ゲート形成と評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 多重台形ナノチャネルAlGaN/GaN HEMTの電流制御性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 多重台形ナノチャネルAlGaN/GaN HEMTの電流制御性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 多重台形ナノチャネルAlGaN/GaN HEMTの電流制御性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- デュアルゲート構造を用いたAlGaN/GaN HEMTの電流コラプスの表面帯電部位依存性の評価 (電子デバイス)
- ヘキサゴナルBDD単電子論理回路のためのGaAs単電子節点デバイスの検討(量子ナノデバイスと回路応用)
- ナノメートルショットキーゲートAlGaN/GaN HFETにおける異常ゲートリーク電流とゲート制御性に関する検討(半導体表面・界面制御と電子デバイスの信頼性, 信頼性一般)
- AlGaN/GaNヘテロ構造を用いたPdショットキー型水素ガスセンサ(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 電気化学的手法を用いたInPポーラスナノ構造の形成とセンサ応用(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
- 電気化学的手法を用いたInPポーラスナノ構造の形成とセンサ応用(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
- AlGaNの表面制御とトランジスタ応用
- 絶縁膜/n-GaN MIS構造の光応答とセンサ応用(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 絶縁膜/n-GaN MIS構造の光応答とセンサ応用(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 絶縁膜/n-GaN MIS構造の光応答とセンサ応用(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 窒化物半導体電子デバイスにおける接合制御
- AlGaN/GaN HEMTにおけるゲートラグ現象の解析(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- AlGaN/GaN HEMTにおけるゲートラグ現象の解析(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- AlGaN/GaN HEMTにおけるゲートラグ現象の解析
- AlGaN/GaN HEMTにおけるゲートラグ現象の解析
- ナノメートルゲートAlGaN/GaN HFETにおける相互コンダクタンスのゲート長依存性劣化に関する検討(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- ナノメートルゲートAlGaN/GaN HFETにおける相互コンダクタンスのゲート長依存性劣化に関する検討(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- ナノメートルゲートAlGaN/GaN HFETにおける相互コンダクタンスのゲート長依存性劣化に関する検討(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- 新しいゲート構造を有する化合物半導体単電子デバイスの製作と評価
- 周期的メサゲート構造を有するAlGaN/GaN HEMT(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- 周期的メサゲート構造を有するAlGaN/GaN HEMT(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- インジウムリン系材料への新しいゲート技術
- AlGaN表面の欠陥・不純物準位の制御とセンサー応用,AWAD2006)
- AlGaN表面の欠陥・不純物準位の制御とセンサー応用
- AlGaN/GaNヘテロ構造を用いたPdショットキー型水素ガスセンサ(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- ED2000-98 GaN関連材料の表面・界面の評価と制御
- AlGaN/GaN HFETのサブミクロンゲートにおける横方向トンネル輸送過程(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- RF-MBE選択成長法を用いたAlGaN/GaN細線ネットワークの形成(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- AlGaN/GaN HFETのサブミクロンゲートにおける横方向トンネル輸送過程(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- RF-MBE選択成長法を用いたAlGaN/GaN細線ネットワークの形成(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- AlGaN/GaN HFETのサブミクロンゲートにおける横方向トンネル輸送過程(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- GaN系MIS構造の高温でのC-V評価(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- GaN系MIS構造の高温でのC-V評価(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- Schottky in-plane gate 構造を有する量子デバイス
- 超薄膜Si形成のためのGaAs初期表面の検討とそのパッシベーション効果
- GaNの電気化学酸化による表面制御(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- GaNの電気化学酸化による表面制御(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- GaNの電気化学酸化による表面制御(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 窒化物電子デバイスにおけるショットキー界面および絶縁体界面の制御(電子デバイスの信頼性と半導体表面・界面制御・評価)
- 窒化物電子デバイスにおけるショットキー界面および絶縁体界面の制御(電子デバイスの信頼性と半導体表面・界面制御・評価)
- GaN系電子デバイスにおける表面の影響(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- GaN系電子デバイスにおける表面の影響(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 量子井戸端への直接ショットキー接合の形成とその細線トランジスタへの応用
- GaNおよびAlGaNの表面評価と絶縁ゲート構造(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- GaNおよびAlGaNの表面評価と絶縁ゲート構造(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- 超薄AIO_x膜およびECR-CVD SiN_x膜を用いたAlGaN/GaNヘテロ構造表面の制御
- n-Si(001)上に形成した極薄絶縁膜/Si界面の超高真空対応非接触C-V法による評価
- n-Si(001)上に形成した極薄絶縁膜/Si界面の超高真空対応非接触C-V法による評価
- ショットキーラップゲート制御AlGaN/GaNナノ細線FETの試作と評価
- ショットキーラップゲート制御AlGaN/GaNナノ細線FETの試作と評価(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- ショットキーラップゲート制御AlGaN/GaNナノ細線FETの試作と評価(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- ドライエッチングによる窒化ガリウム系材料のナノ構造形成プロセス
- ドライエッチングによる窒化ガリウム系材料のナノ構造形成プロセス
- 多重台形型チャネルを持つAlGaN/GaN HEMTの高温での電流安定性(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- 多重台形型チャネルを持つAlGaN/GaN HEMTの高温での電流安定性(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- AlGaN/GaNヘテロ構造表面制御とトランジスタ応用(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- AlGaN/GaNヘテロ構造表面制御とトランジスタ応用(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)