電気化学プロセスによる化合物半導体ショットキー接合の形成と界面制御
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概要
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金属イオンを含む電界溶液中において、GaAsなどの化合物半導体表面をエッチングし、引き続き同一液中で金属膜の堆積(めっき)を行い、ショットキー接合の形成を行った。作製したダイオードの電気的特性はほぼ理想的なショットキー特性を示した。金属析出の初期過程では、20-30nmの大きさをもつ金属粒子が半導体表面に堆積する。さらに、金属堆積の初期過程及び電気的特性の評価により、ダメージフリー、ストレスフリーの制御された接合界面が本プロセスにより実現できることが明らかとなった。また、作製したダイオードの障壁高さは、これまでの報告よりも仕金属事関数依存性が強いことがわかり、ピンニングの緩和したショットキー界面が形成されている可能性が示された。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-07-22
著者
-
橋詰 保
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
-
長谷川 英機
北海道大学工学研究科、量子界面エレクトロニクス研究センター及び集積電子デバイス工学分野
-
佐藤 威友
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
-
兼城 千波
北海道大学工学研究科電子情報工学専攻・量子界面エレクトロニクス研究センター
-
小山 雄司
北海道大学量子界面エレクトロニクス研究センター、工学研究科
-
長谷川 英機
北海道大学
-
橋詰 保
北海道大学 情報科学研究科 量子集積エレクトロニクス研究センター
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