多重台形チャネルを持つAlGaN/GaN HEMTの特性

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概要

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• 2007-11-30

著者

• 葛西 誠也

  Research Center For Integrated Quantum Electronics And Graduate School Of Information Science And Te

• 橋詰 保

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

• 葛西 誠也

  北海道大学大学院情報科学研究科

• 小谷 淳二

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

• 田村 隆博

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センターおよび情報科学研究科

• 葛西 誠也

  北海道大学大学院情報科学研究科:北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター:jstさきがけ

• Hashizume T

  Advanced Research Laboratory Hitachi Ltd.:department Of Physics Tokyo Institute Of Technology

• 田村 隆弘

  北海道大学大学院工学研究科

• Kasai S

  Graduate School Of Environmental Earth Science Hokkaido University

• 田村 隆博

  北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センター

• 葛西 誠也

  北海道大学 大学院情報科学研究科

• 葛西 誠也

  北大院情報科学および量集センター:jstさきがけ

• 葛西 誠也

  北海道大学大学院情報科学研究科・量子集積エレクトロニクス研究センター:jstさきがけ

• Hashizume Tamotsu

  Research Center For Integrated Quantum Electronics And Graduate School Of Information Science &

• 小谷 淳二

  北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センター

• 橋詰 保

  北海道大学 情報科学研究科 量子集積エレクトロニクス研究センター

• 葛西 誠也

  北海道大学

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