0.86 eV Platinum Schottky Barrier on Indium Phosphide by In Situ Electrochemical Process and Its Application to MESFETs
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概要
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- 1996-02-01
著者
-
葛西 誠也
Research Center For Integrated Quantum Electronics And Graduate School Of Information Science And Te
-
Wu N‐j
Hokkaido Univ. Sapporo Jpn
-
Wu N‐j
Univ. Aizu Fukushima Jpn
-
Wu Nan-jian
The University Of Electro-communications
-
HASEGAWA Hideki
Graduate School of Electronics and Information Engineering and Research Center for Integrated Quantu
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KASAI Seiya
Graduate School of Information Science and Technology, Hokkaido University
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UNO Shouichi
Graduate School of Electronics and Information Engineering, and Research Center for Interface Quantu
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HASHIZUME Tamotsu
Graduate School of Electronics and Information Engineering, and Research Center for Interface Quantu
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WU Nan-Jian
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