GaAsナノワイヤ3分岐接合の非線形特性制御と論理ゲートへの応用(機能ナノデバイスとおよび関連技術)

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概要

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• ナノワイヤ3分岐接合は,室温において非線形な電気的特性を示し,ナノワイヤを適用した論理集積回路の構成要素として有用である.本研究ではGaAsナノワイヤ3分岐接合デバイスの試作と評価を通し,非線形特性のメカニズムについて検討する.また,デバイス特性をショットキーラップゲート(WPG)により制御することを試みる.さらに,3分岐接合の論理回路応用として,NAND回路の試作評価を行った結果について述べる.

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2008-01-23

著者

• 葛西 誠也

  Research Center For Integrated Quantum Electronics And Graduate School Of Information Science And Te

• 葛西 誠也

  北海道大学大学院情報科学研究科

• 白鳥 悠太

  北海道大学大学院情報科学研究科

• アブドゥール ラーマン

  北海道大学量子集積エレクトロニクスセンター

• 葛西 誠也

  北海道大学大学院情報科学研究科:北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター:jstさきがけ

• 白鳥 悠太

  北海道大学大学院情報科学研究科および量子集積エレクトロニクス研究センター

• アブドゥール ラーマン

  北海道大学量子集積エレクトロニクスセンター:北海道大学大学院情報科学研究科

• 葛西 誠也

  北海道大学 大学院情報科学研究科

• 葛西 誠也

  北大院情報科学および量集センター:jstさきがけ

• 白鳥 悠太

  北大院情報科学および量集センター

• 葛西 誠也

  北海道大学

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